[發明專利]一種有機DAST晶體的表面清洗工藝

有效

• 申請號: 201510414545.1
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN104998860B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 武聰;孟大磊;龐子博;徐永寬;程紅娟
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;C07D213/38;F26B5/04
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司12105
• 代理人: 王鳳英

技術領域

本發明涉及DAST晶體表面處理方法，尤其是涉及一種有機DAST晶體的表面清洗工藝。

背景技術

有機光學DAST晶體（即4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮雜芪的對甲苯磺酸鹽，英文名為4-N,N-dimethylamino-4’-N’-methyl-stilbazolium?tosylate），由于其自身高的電光系數和非線性性能，成為迄今效率最高的具有發射太赫茲輻射能力的非線性晶體，同時DAST也是一種高性能的太赫茲探測晶體。

采用溶液法生長有機DAST晶體，其表面不可避免地會沾染溶劑和粉體顆粒等雜質，如果未及時干燥，有機DAST晶體表面極易吸水變色，使得晶體表面質量和透光性變差，因此，必須對DAST表面進行清洗。

由于DAST晶體表面極易吸水的特性，在對DAST晶體進行清洗時，清洗劑要能夠迅速揮發，因此，清洗劑的選擇十分重要，目前還沒有一種合適的清洗方法能夠在快速徹底的清除DAST晶體表面雜質。因而，迫切需要研制一項具有良好去污效果的DAST晶體表面清洗工藝。

發明內容

鑒于現有技術存在的問題，本發明研發一種有機DAST晶體的表面清洗工藝。

本發明采取的技術方案是：一種有機DAST晶體的表面清洗工藝，其特征在于，該清洗工藝流程為：

第一步.將DAST晶體置于由按體積比70%～95%乙酸乙酯和5%～30%異丙醇配制的清洗劑中，超聲清洗10s～30s，清洗DAST晶體表面的粉體顆粒雜質。

第二步.將DAST晶體置于由按體積比76%～98%無水乙醇和2%～24%四氫呋喃配制的清洗劑中，超聲清洗10s～30s，清除DAST晶體因吸水變色的表面。

第三步.將DAST晶體置于甲醇溶液中，超聲清洗2s～8s，清除DAST晶體表面沾染的清洗劑，得到潔凈的晶體表面。

第四步.將清洗干凈的DAST晶體在45℃～55℃條件下，真空干燥15min～30min。

本發明所產生的有益效果是：采用本工藝能夠有效地清除DAST晶體表面的雜質，尤其是能徹底清洗DAST晶體表面因吸水而變色的表層，且易揮發，可得到潔凈干燥的晶體表面。

具體實施方式

以下結合實施例對本發明進行詳細說明：

實施例1：有機DAST晶體表面清洗工藝具體步驟如下：

①將有機DAST晶體置于由70%乙酸乙酯和30%異丙醇配成的清洗溶液中，超聲清洗10s；

②將有機DAST晶體置于87%無水乙醇和13%四氫呋喃配成的

清洗溶液中，超聲清洗15s；

③將有機DAST晶體置于甲醇溶液中，超聲清洗5s；

④將清洗后的DAST晶體置于真空干燥箱中，在55℃條件下干燥15min，可得到潔凈干燥的DAST晶體表面。

實施例2：有機DAST晶體表面清洗工藝具體步驟如下：

①將有機DAST晶體置于由70%乙酸乙酯和30%異丙醇配成的清洗溶液中，超聲清洗10s；

②將有機DAST晶體置于98%無水乙醇和2%四氫呋喃配成的清洗溶液中，超聲清洗10s；

③將有機DAST晶體置于甲醇溶液中，超聲清洗8s；

④將清洗后的DAST晶體置于真空干燥箱中，在50℃條件下干燥15min，，可得到潔凈干燥的DAST晶體表面。

實施例3：有機DAST晶體表面清洗工藝具體步驟如下：

①將有機DAST晶體置于由83%乙酸乙酯和17%異丙醇配成的清洗溶液中，超聲清洗15s；

②將有機DAST晶體置于76%無水乙醇和24%四氫呋喃配成的清洗溶液中，超聲清洗30s；

③將有機DAST晶體置于甲醇溶液中，超聲清洗2s；

④將清洗后的DAST晶體置于真空干燥箱中，在45℃條件下干燥30min，，可得到潔凈干燥的DAST晶體表面。

實施例4：有機DAST晶體表面清洗工藝具體步驟如下：

①將有機DAST晶體置于由83%乙酸乙酯和17%異丙醇配成的清洗溶液中，超聲清洗15s；

②將有機DAST晶體置于98%無水乙醇和2%四氫呋喃配成的清洗溶液中，超聲清洗10s；

③將有機DAST晶體置于甲醇溶液中，超聲清洗5s；

④將清洗后的DAST晶體置于真空干燥箱中，在55℃條件下干燥25min，，可得到潔凈干燥的DAST晶體表面。

實施例5：有機DAST晶體表面清洗工藝具體步驟如下：