[發明專利]單刀六擲射頻收發開關電路

在審

• 申請號: 201510413252.1
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN105049013A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 朱紅衛;杜浩華
• 申請（專利權）人: 海寧海微電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 唐山永和專利商標事務所 13103
• 代理人: 明淑娟

技術領域

本發明涉及射頻收發開關電路技術領域，具體講是一種單刀六擲射頻收發開關電路。

背景技術

近年來，多模移動電話的激增已經大大增加了超小型的射頻前端模塊(FEMs)在天線(Ant)和多模式多頻段射頻收發機系統芯片(SoC)之間的需求。隨著第三代(3G)和第四代(4G)系統規格的長期演進(LTE)，射頻開關需要多標準頻帶的發送(Tx)和接收(Rx)功能。由于大多數智能手機因形狀約束只使用一個天線，所以設計單刀多擲射頻收發開關在射頻前端領域已經成為研究的重點之一，而單刀六擲射頻收發開關電路是其中之一。目前，所需的單刀六擲射頻收發開關電路的性能要求已經變得更嚴格，包括更低的插入損耗(IL)，更高的隔離度，以及更高的功率處理能力，更高的線性度，更小的尺寸和更低的成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，克服現有技術的缺陷，提供一種具有較小的尺寸和較低的成本，同時具有優良的線性度和隔離度的單刀六擲射頻收發開關電路。

為解決上述技術問題，本發明提出一種單刀六擲射頻收發開關電路，它包括天線，它還包括第一至十二MOS場效應管，第一MOS場效應管的S端、第二MOS場效應管的S端均與第一GSM發射端Tx1連接，第三MOS場效應管的D端、第四MOS場效應管的D端均與第二GSM發射端Tx2連接，第五MOS場效應管的D端、第六MOS場效應管的D端均與第一GSM接收端Rx1連接，第七MOS場效應管的S端、第八MOS場效應管的S端均與第二GSM接收端Rx2連接，第九MOS場效應管的D端、第十MOS場效應管的D端均與WCDMA發射端TRx1連接，第十一MOS場效應管的S端、第十二MOS場效應管的S端均與WCDMA接收端TRx2連接，第二MOS場效應管的D端、第四MOS場效應管的S端、第六MOS場效應管的S端、第七MOS場效應管的D端、第十MOS場效應管的S端、第十一MOS場效應管的D端均與天線連接，第一MOS場效應管的D端、第三MOS場效應管的S端、第五MOS場效應管的S端、第八MOS場效應管的D端、第九MOS場效應管的S端、第十二MOS場效應管的D端均與零電位參考點連接；各MOS場效應管的G端用于與通斷控制信號連接；各MOS場效應管均設有P阱/深N阱和深N阱/P襯底的雙二極管，其中深N阱和P阱浮空。

采用上述結構后，與現有技術相比，本發明具有以下優點：這樣設計后，不僅具有較小的尺寸和較低的成本，同時具有優良的線性度和隔離度。

作為改進，各MOS場效應管均為三阱結構的MOS晶體管，由于三阱結構的MOS晶體管制取工藝穩定成熟，所以在批量生產時，質量較為穩定可靠，從而更有利于本發明穩定性和可靠性的提高。

附圖說明

圖1為本發明單刀六擲射頻收發開關電路的電路原理圖。

圖2為本發明單刀六擲射頻收發開關電路的MOS場效應管的結構示意圖。

圖中所示，1、天線，2、第一MOS場效應管，3、第二MOS場效應管，4、第三MOS場效應管，5、第四MOS場效應管，6、第五MOS場效應管，7、第六MOS場效應管，8、第七MOS場效應管，9、第八MOS場效應管，10、第九MOS場效應管，11、第十MOS場效應管，12、第十一MOS場效應管，13、第十二MOS場效應管。

具體實施方式

下面對本發明作進一步詳細的說明：