[發(fā)明專利]單刀六擲射頻收發(fā)開關電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510413252.1 | 申請日： | 2015-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN105049013A | 公開（公告）日： | 2015-11-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱紅衛(wèi);杜浩華 | 申請（專利權）人： | 海寧海微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 唐山永和專利商標事務所 13103 | 代理人： | 明淑娟 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單刀 射頻 收發(fā) 開關電路 | ||
1.一種單刀六擲射頻收發(fā)開關電路，它包括天線（1），其特征在于，它還包括第一至十二MOS場效應管（2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13），第一MOS場效應管（2）的S端、第二MOS場效應管（3）的S端均與第一GSM發(fā)射端Tx1連接，第三MOS場效應管（4）的D端、第四MOS場效應管（5）的D端均與第二GSM發(fā)射端Tx2連接，第五MOS場效應管（6）的D端、第六MOS場效應管（7）的D端均與第一GSM接收端Rx1連接，第七MOS場效應管（8）的S端、第八MOS場效應管（9）的S端均與第二GSM接收端Rx2連接，第九MOS場效應管（10）的D端、第十MOS場效應管（11）的D端均與WCDMA發(fā)射端TRx1連接，第十一MOS場效應管（12）的S端、第十二MOS場效應管（13）的S端均與WCDMA接收端TRx2連接，第二MOS場效應管（3）的D端、第四MOS場效應管（5）的S端、第六MOS場效應管（7）的S端、第七MOS場效應管（8）的D端、第十MOS場效應管（11）的S端、第十一MOS場效應管（12）的D端均與天線（1）連接，第一MOS場效應管（2）的D端、第三MOS場效應管（4）的S端、第五MOS場效應管（6）的S端、第八MOS場效應管（9）的D端、第九MOS場效應管（10）的S端、第十二MOS場效應管（13）的D端均與零電位參考點連接；各MOS場效應管的G端用于與通斷控制信號連接；各MOS場效應管均設有P阱/深N阱和深N阱/P襯底的雙二極管，其中深N阱和P阱浮空。
2.根據(jù)權利要求1所述的單刀六擲射頻收發(fā)開關電路，其特征在于，各MOS場效應管均為三阱結(jié)構(gòu)的MOS晶體管。
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