[發(fā)明專利]非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路

在審

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• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN105187038A
• 公開（公告）日: 2015-12-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱紅衛(wèi);杜浩華
• 申請（專利權(quán)）人: 海寧海微電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 唐山永和專利商標(biāo)事務(wù)所 13103
• 代理人: 明淑娟

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻收發(fā)開關(guān)電路技術(shù)領(lǐng)域，具體講是一種非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路。

背景技術(shù)

在早期的手機(jī)急速增長的時代，多數(shù)IC手持設(shè)備采用砷化鎵(GaAs)工藝。然而，對低成本和與數(shù)字集成的需求使研究從GaAs技術(shù)轉(zhuǎn)變到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)。同時，所需的天線開關(guān)的性能要求已經(jīng)變得更嚴(yán)格，包括更低的插入損耗(IL)，更高的隔離度，以及更高的功率處理能力，更高的線性度，更小的尺寸和更低的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種具有較小的尺寸和較低的成本，同時具有優(yōu)良的插入損耗、線性度和隔離度的非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出一種非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路，它包括天線OUT，它還包括第一MOS場效應(yīng)管M1、第二MOS場效應(yīng)管M2、第三MOS場效應(yīng)管M3、第四MOS場效應(yīng)管M4、第五MOS場效應(yīng)管M5、第六MOS場效應(yīng)管M6、第七M(jìn)OS場效應(yīng)管M7、第八MOS場效應(yīng)管M8、第九MOS場效應(yīng)管M9；第一MOS場效應(yīng)管M1的G端串聯(lián)電阻R2后、第二MOS場效應(yīng)管M2的G端串聯(lián)電阻R3后、第三MOS場效應(yīng)管M3的G端串聯(lián)電阻R4后、第四MOS場效應(yīng)管M4的G端串聯(lián)電阻R5后均與電阻R1的一端連接，電阻R1的另一端與第一控制信號端gate1連接，第一MOS場效應(yīng)管M1的D端和S端之間并聯(lián)電阻R6，第二MOS場效應(yīng)管M2的D端和S端之間并聯(lián)電阻R7，第三MOS場效應(yīng)管M3的D端和S端之間并聯(lián)電阻R8，第四MOS場效應(yīng)管M4的D端和S端之間并聯(lián)電阻R9，電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9依序串聯(lián)，第四MOS場效應(yīng)管M4的S端與發(fā)射端IN1連接；第五MOS場效應(yīng)管M5的G端串聯(lián)電阻R11后、第六MOS場效應(yīng)管M6的G端串聯(lián)電阻R12后、第七M(jìn)OS場效應(yīng)管M7的G端串聯(lián)電阻R13后、第八MOS場效應(yīng)管M8的G端串聯(lián)電阻R14后、第九MOS場效應(yīng)管M9的G端串聯(lián)電阻R15后均與電阻R10的一端連接，電阻R10的另一端與第二控制信號端gate2連接，第五MOS場效應(yīng)管M5的D端和S端之間并聯(lián)電阻R16，第六MOS場效應(yīng)管M6的D端和S端之間并聯(lián)電阻R17，第七M(jìn)OS場效應(yīng)管M7的D端和S端之間并聯(lián)電阻R18，第八MOS場效應(yīng)管M8的D端和S端之間并聯(lián)電阻R19，第九MOS場效應(yīng)管M9的D端和S端之間并聯(lián)電阻R20，電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20依序串聯(lián)，第九MOS場效應(yīng)管M9的S端與接收端IN2連接；第一MOS場效應(yīng)管M1的D端、第五MOS場效應(yīng)管M5的D端均與天線OUT連接；各MOS場效應(yīng)管均設(shè)有P阱/深N阱和深N阱/P襯底的雙二極管，其中深N阱和P阱浮空。

采用上述結(jié)構(gòu)后，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明提出了一種新型的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過設(shè)計收發(fā)的非對稱性，能夠分別得到接收和發(fā)射各自要求的射頻開關(guān)電路的隔離度、插入損耗和線性度等射頻指標(biāo)，不僅具有較小的尺寸和較低的成本，同時具有優(yōu)良的插入損耗、線性度和隔離度。

作為改進(jìn)，各MOS場效應(yīng)管均為三阱結(jié)構(gòu)的MOS晶體管，由于三阱結(jié)構(gòu)的MOS晶體管制取工藝穩(wěn)定成熟，所以在批量生產(chǎn)時，質(zhì)量較為穩(wěn)定可靠，從而更有利于本發(fā)明穩(wěn)定性和可靠性的提高。

作為改進(jìn)，各MOS場效應(yīng)管的P阱串聯(lián)電阻R后浮空，這樣，浮空效果更好。

附圖說明

圖1為本發(fā)明非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路的電路原理圖。

圖2為本發(fā)明非對稱射頻收發(fā)開關(guān)電路的MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：