[發(fā)明專利]非對(duì)稱射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510412195.5 | 申請(qǐng)日： | 2015-07-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105187038A | 公開(kāi)（公告）日： | 2015-12-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱紅衛(wèi);杜浩華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 海寧海微電子科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03K17/687 | 分類(lèi)號(hào)： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 唐山永和專利商標(biāo)事務(wù)所 13103 | 代理人： | 明淑娟 |
| 地址： | 314400 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 對(duì)稱 射頻 收發(fā) 開(kāi)關(guān)電路 | ||
1.一種非對(duì)稱射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)電路，它包括天線OUT，其特征在于，它還包括第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管M1、第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管M2、第三MOS場(chǎng)效應(yīng)管M3、第四MOS場(chǎng)效應(yīng)管M4、第五MOS場(chǎng)效應(yīng)管M5、第六MOS場(chǎng)效應(yīng)管M6、第七M(jìn)OS場(chǎng)效應(yīng)管M7、第八MOS場(chǎng)效應(yīng)管M8、第九MOS場(chǎng)效應(yīng)管M9；第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管M1的G端串聯(lián)電阻R2后、第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管M2的G端串聯(lián)電阻R3后、第三MOS場(chǎng)效應(yīng)管M3的G端串聯(lián)電阻R4后、第四MOS場(chǎng)效應(yīng)管M4的G端串聯(lián)電阻R5后均與電阻R1的一端連接，電阻R1的另一端與第一控制信號(hào)端gate1連接，第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管M1的D端和S端之間并聯(lián)電阻R6，第二MOS場(chǎng)效應(yīng)管M2的D端和S端之間并聯(lián)電阻R7，第三MOS場(chǎng)效應(yīng)管M3的D端和S端之間并聯(lián)電阻R8，第四MOS場(chǎng)效應(yīng)管M4的D端和S端之間并聯(lián)電阻R9，電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9依序串聯(lián)，第四MOS場(chǎng)效應(yīng)管M4的S端與發(fā)射端IN1連接；第五MOS場(chǎng)效應(yīng)管M5的G端串聯(lián)電阻R11后、第六MOS場(chǎng)效應(yīng)管M6的G端串聯(lián)電阻R12后、第七M(jìn)OS場(chǎng)效應(yīng)管M7的G端串聯(lián)電阻R13后、第八MOS場(chǎng)效應(yīng)管M8的G端串聯(lián)電阻R14后、第九MOS場(chǎng)效應(yīng)管M9的G端串聯(lián)電阻R15后均與電阻R10的一端連接，電阻R10的另一端與第二控制信號(hào)端gate2連接，第五MOS場(chǎng)效應(yīng)管M5的D端和S端之間并聯(lián)電阻R16，第六MOS場(chǎng)效應(yīng)管M6的D端和S端之間并聯(lián)電阻R17，第七M(jìn)OS場(chǎng)效應(yīng)管M7的D端和S端之間并聯(lián)電阻R18，第八MOS場(chǎng)效應(yīng)管M8的D端和S端之間并聯(lián)電阻R19，第九MOS場(chǎng)效應(yīng)管M9的D端和S端之間并聯(lián)電阻R20，電阻R16、電阻R17、電阻R18、電阻R19、電阻R20依序串聯(lián)，第九MOS場(chǎng)效應(yīng)管M9的S端與接收端IN2連接；第一MOS場(chǎng)效應(yīng)管M1的D端、第五MOS場(chǎng)效應(yīng)管M5的D端均與天線OUT連接；各MOS場(chǎng)效應(yīng)管均設(shè)有P阱/深N阱和深N阱/P襯底的雙二極管，其中深N阱和P阱浮空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，各MOS場(chǎng)效應(yīng)管均為三阱結(jié)構(gòu)的MOS晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非對(duì)稱射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)電路，其特征在于，各MOS場(chǎng)效應(yīng)管的P阱串聯(lián)電阻R后浮空。
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