[發明專利]TFT基板結構的制作方法有效

申請號：	201510411137.0	申請日：	2015-07-13
公開（公告）號：	CN104952792B	公開（公告）日：	2017-12-29
發明（設計）人：	呂曉文	申請（專利權）人：	深圳市華星光電技術有限公司
主分類號：	H01L21/77	分類號：	H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12
代理公司：	深圳市德力知識產權代理事務所44265	代理人：	林才桂
地址：	518132 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	tft 板結制作方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板結構的制作方法。

背景技術

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)包括殼體、設于殼體內的液晶面板及設于殼體內的背光模組。通常液晶面板由一彩色濾光片基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一填充于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成。CF基板和TFT基板的相對內側設有透明電極。液晶顯示器通過電場對液晶分子的取向進行控制，改變光的偏振狀態，并藉由偏光板實現光路的穿透與阻擋，達到顯示的目的。

邊緣場開關(Fringe Field Switching，FFS)技術是近年來出現的改善LCD畫質的技術之一，能同時實現高穿透性和大視角的要求。圖1所示為一種現有FFS型液晶顯示面板的TFT基板的剖面結構示意圖，其包括基板100、設于所述基板100上的緩沖層200、設于所述緩沖層200上的柵極300、設于所述緩沖層200上覆蓋所述柵極300的柵極絕緣層400、設于所述柵極絕緣層400上的島狀導體層500、設于所述柵極絕緣層400上分別與所述島狀導體層500的兩側相接觸的源極600與漏極700、設于所述柵極絕緣層400、島狀半導體層500、源極600與漏極700上的第一鈍化層800、設于所述第一鈍化層800上的平坦層900、設于所述平坦層900上的第一像素電極1000、設于所述平坦層900與第一像素電極1000上的第二鈍化層1100、及設于所述第二鈍化層1100上的第二像素電極1200；所述第二鈍化層1100、平坦層900、及第一鈍化層800上對應所述漏極700的上方形成有過孔1300，所述第二像素電極1200經由所述過孔1300與所述漏極700相接觸。

請參閱圖2至圖9，現有FFS型液晶顯示面板的TFT基板結構的制作方法包括如下步驟；

步驟1、如圖2所示，提供基板100，在所述基板100上沉積緩沖層200；在所述緩沖層200上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極300；

步驟2、如圖3所示，在所述緩沖層200、及柵極300上沉積柵極絕緣層400；在所述柵極絕緣層400上沉積氧化物半導體層，并對所述氧化物半導體層進行圖案化處理，形成島狀半導體層500；

步驟3、如圖4所示，在所述柵極絕緣層400、及島狀半導體層500上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到源極600、及漏極700；

步驟4、如圖5所示，在所述柵極絕緣層400、島狀半導體層500、源極600、及漏極700上沉積第一鈍化層800，并在所述第一鈍化層800上對應所述漏極700上方形成第一過孔810；

步驟5、如圖6所示，在所述第一鈍化層800上形成平坦層900，并在所述平坦層900上對應所述第一過孔810上方形成第二過孔910；

步驟6、如圖7所示，在所述平坦層900上沉積第一透明導電膜，并在所述第一透明導電膜上涂布光阻層1101；

由于第一、第二過孔810、910較深，因此光阻層1101容易在所述第一、第二過孔810、910內堆積；

步驟7、如圖8所示，對所述光阻層1101進行曝光、顯影；

具體的，在曝光、顯影時，堆積在所述第一、第二過孔810、910內的光阻層1101容易顯影不完全，造成光阻層1101在第一、第二過孔810、910處殘留；

步驟8、如圖9所示，以所述光阻層1101為遮蔽層，對沒有被所述光阻層1101遮擋的第一透明導電膜進行蝕刻處理，得到第一像素電極1000；

由于位于所述第一、第二過孔810、910內的第一透明導電膜上覆蓋有殘留光阻，因此在蝕刻過程中無法被完全蝕刻掉，從而造成所述第一透明導電膜在第一、第二過孔810、910處殘留，因而會影響后續制程，對TFT基板的品質造成不良影響。