[發明專利]TFT基板結構的制作方法

有效

• 申請號: 201510411137.0
• 申請日: 2015-07-13
• 公開（公告）號: CN104952792B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 呂曉文
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT基板結構的制作方法，其特征在于，包括如下步驟；

步驟1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉積緩沖層(2)；在所述緩沖層(2)上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成柵極(3)；

步驟2、在所述緩沖層(2)、及柵極(3)上沉積柵極絕緣層(4)；在所述柵極絕緣層(4)上沉積氧化物半導體層，并對所述氧化物半導體層進行圖案化處理，形成島狀半導體層(5)；

步驟3、在所述柵極絕緣層(4)、及島狀半導體層(5)上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到源極(6)、及漏極(7)；

步驟4、在所述柵極絕緣層(4)、島狀半導體層(5)、源極(6)、及漏極(7)上沉積第一鈍化層(8)；

步驟5、在所述第一鈍化層(8)上形成平坦層(9)；

步驟6、在所述平坦層(9)上沉積第一透明導電膜，并對所述第一透明導電膜進行圖案化處理，形成第一像素電極(10)；

步驟7、在所述第一鈍化層(8)、及平坦層(9)上對應所述漏極(7)的上方依次形成第一過孔(91)、及第二過孔(92)，所述第一過孔(91)、及第二過孔(92)暴露出部分漏極(7)；

步驟8、在所述第一像素電極(10)及平坦層(9)上沉積第二鈍化層(11)，并對所述第二鈍化層(11)進行圖案化處理，在所述第二鈍化層(11)上形成一對應于所述第一過孔(91)與第二過孔(92)的第三過孔(93)；

步驟9、在所述第二鈍化層(11)上沉積第二透明導電膜，并對所述第二透明導電膜進行圖案化處理，形成第二像素電極(12)，所述第二像素電極(12)經由第一、第二、第三過孔(91、92、93)與漏極(7)相連。

2.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導體層(5)的材料為IGZO。

3.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟4采用化學氣相沉積法沉積所述第一鈍化層(8)。

4.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟5采用涂布制程形成所述平坦層(9)；所述平坦層(9)的材料為PFA。

5.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟6采用物理氣相沉積法沉積所述第一透明導電膜；采用濕法蝕刻制程形成所述第一像素電極(10)。

6.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述步驟7先采用黃光制程在所述平坦層(9)上對應所述漏極(7)上方曝光出第一過孔(91)，然后以所述平坦層(9)為自對準光罩，采用干法蝕刻制程在所述第一鈍化層(8)上對應所述第一過孔(91)蝕刻出第二過孔(92)。

7.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述柵極(3)的材料為鉬、鈦、鋁和銅中的一種或多種的堆棧組合。

8.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述源極(6)與漏極(7)的材料為鉬、鈦、鋁和銅中的一種或多種的堆棧組合。

9.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層(4)、第一鈍化層(8)、及第二鈍化層(11)的材料為氧化硅、氮化硅、或二者的堆棧組合。

10.如權利要求1所述的TFT基板結構的制作方法，其特征在于，所述第一像素電極(10)、及第二像素電極(12)的材料均為ITO。