[發明專利]一種NAND閃存出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法

有效

• 申請號: 201510403709.0
• 申請日: 2015-07-12
• 公開（公告）號: CN104932951B
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 符方曉
• 申請（專利權）人: 符方曉
• 主分類號: G06F11/08
• 分類號: G06F11/08;G06F3/06
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本文涉及存儲技術領域,尤其涉及MLC,TLC和QLC NAND的數據恢復。

背景技術

SLC NAND = Single-Level Cell ，即1bit/cell;MLC NAND = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命，我們將每個CELL對應的2個page叫做low page,up page; TLC NAND = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有NAND閃存廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命,我們將每個CELL對應的3個page叫做low page,middle page,up page; QLC NAND = Quad-Level Cell架構，即4bit/cell,我們將每個CELL對應的4個page叫做low page,secondlow page,middle page,up page。

在本文中lower page和upper page是相對的,比如在QLC NAND中, secondlow page相對于low是upper page,但是secondlow page相對于middle page是lower page，而low page, secondlow page,middle page,up page是指的一種類型的page，不是相對的概念。

跟SLC比起來，MLC，TLC和QLC的特點是容量大成本低，存儲不穩定，出錯的幾率較大，需要進行錯誤修正才能使用。大容量的MLC,TLC和QLC NAND 一般采用可以糾錯的錯誤檢查和糾正( 英文：Error Correcting Code，縮寫：ECC) 編碼來保證存儲數據的完整性。

MLC,TLC和QLC NAND一個CELL存放2 bit以上的數據,這些bit分別屬于不同的page，二進制高位屬于lower page,二進制低位屬于upper page。比如對于TLC NAND來說，一個CELL存放二進制110（十進制為6），表示low page里面相應bit為1，middle page里面的相應bit為1，up page相應bit為0。

發明內容

本發明實施例提供了一種NAND 閃存的數據恢復方法，用于解決NAND數據出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法。

本發明實施例提供了一種NAND 閃存出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法,包括;如果發現讀取操作無法通過ECC糾正當前page所有的bit翻轉錯誤的時候，將當前page的lower pages讀出來做ECC糾錯之后記錄bit翻轉信息,根據lower pages的bit翻轉信息修改當前page的數據。

所述修改當前page的bit的原則是,如果lower pages的二進制正確值小于錯誤值則設置當前page對應bit的值為1，如果lower pages的二進制正確值大于錯誤值則設置當前page對應bit的值為0，這樣可以使得在高位bits已經確定的情況下，低位bit的設置使得整個CELL的估計值與讀出來的錯誤值的差距比較小。比如對于MLC NAND，low page經過ECC之后發現某個CELL的bit從0(ECC后的正確值)翻轉成了1（ECC前的錯誤值），那么整個CELL存放的正確值可能是01或者00，而整個CELL的錯誤值可能是10或者11，很顯然對于錯誤值10（十進制2）或者11(十進制3)來說，正確值為01的可能性比較大，直接設置當前page相應位置的bit為1。

根據lower pages的bit翻轉信息修改完當前page的數據之后重新對當前page做ECC糾錯。

附圖說明

圖1為NAND閃存CELL數據與所屬page關系示意圖。

圖2為本發明的NAND 閃存出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法的一個實施案列的流程圖。

具體實施方案

本發明實施例提供了一種NAND 閃存出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法，用于解決MLC,TLC和QLC NAND數據存儲不可靠的問題。