[發(fā)明專利]一種NAND閃存出現ECC無法糾錯時的數據恢復方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510403709.0 | 申請日： | 2015-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN104932951B | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 符方曉 | 申請（專利權）人： | 符方曉 |
| 主分類號： | G06F11/08 | 分類號： | G06F11/08;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識產權代理有限公司11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 102200 北京市昌平*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nand 閃存 出現 ecc 無法 糾錯 數據 恢復 方法 | ||
1.一種MLC/TLC/QLC NAND閃存出現ECC無法糾正錯誤時的數據恢復方法，其特征在于，包括
讀NAND閃存的操作；
設所讀page為當前page，判斷當前page的bit錯誤是否可通過ECC糾正，若是則讀操作完成，若否則將當前page的lower pages讀出來做ECC并記錄bit翻轉信息，然后根據lower pages的bit翻轉信息修改當前page的bits；
重新對當前page做ECC校驗；
其中：根據lower pages的bits翻轉信息修改當前page的數據時，依據的原則是如果lower pages的二進制正確值小于錯誤值則設置當前page對應bit的值為1，如果lower pages的二進制正確值大于錯誤值則設置當前page對應bit的值為0，也就是說在高位bit已經確定的情況下，低位bit的設置必須使得整個CELL的估計值與讀出來的錯誤值的差距比較小。
2.根據權利要求1所述的數據恢復方法，其特征在于,
所述NAND閃存中每個CELL存儲大于或者等于2bit數據,二進制高位數據屬于lower page,二進制低位數據屬于upper page。
3.根據權利要求1所述的數據恢復方法，其特征在于,還包括,
對于MLC NAND,如果發(fā)現lower page對應bit從正確的0變成的錯誤的1，那么整個CELL的正確值可能是二進制00或者01，顯然01更加接近錯誤值10或者11，所以直接設置當前page對應bit的值為1。
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