[發(fā)明專利]一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料和制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510401564.0 | 申請(qǐng)日: | 2015-07-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105018881B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李靜波;蘇玉玉;金海波;豆艷坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/08 | 分類號(hào): | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 蘇培華 |
| 地址: | 100081 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 氧化釩薄膜 晶體的 非晶 硅片 釩氧化物薄膜 熱處理 薄膜材料 非晶體 電阻 電阻溫度系數(shù) 微測輻射熱計(jì) 溫度變化敏感 致密 真空退火爐 表面平整 磁控濺射 電阻變化 反應(yīng)氣體 濺射氣體 氬氣 清潔 金屬釩 靶材 沉積 襯底 放入 基底 濺射 可用 氧氣 升降 室內(nèi) 制造 生產(chǎn) | ||
本發(fā)明提供了一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料和制備方法,所述方法包括:制備清潔干燥的硅片;濺射過程以金屬釩靶為靶材,以清潔干燥的硅片為襯底,以氬氣為濺射氣體,以氧氣為反應(yīng)氣體,共同通入磁控濺射腔室內(nèi),在所述硅片基底上沉積非晶體釩氧化物薄膜;將制備的所述非晶體釩氧化物薄膜放入真空退火爐中,進(jìn)行熱處理,熱處理后得到所述含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜。依據(jù)本發(fā)明的制備方法可以大面積生產(chǎn)含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料,制備的所述薄膜材料的表面平整致密、材料的顆粒比較均勻。同時(shí),生成的所述薄膜材料電阻適中,電阻隨溫度變化敏感,電阻溫度系數(shù)大于2%/K,且在升降溫過程中電阻變化穩(wěn)定,可用于制造微測輻射熱計(jì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料,以及一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料的制備方法。
背景技術(shù)
氧化釩薄膜VOx為一種熱敏材料,由于其較低的室溫電阻、高的電阻溫度系數(shù)(TCR)值(2.0%/K左右,比大多數(shù)金屬高5~10倍)、制備工藝與硅工藝兼容以及其制得的器件具有較低的1/f噪聲與較高的幀數(shù)(60HZ)等特點(diǎn),近年來被廣泛關(guān)注和研究。。
但一般來說薄膜的電阻值與電阻溫度系數(shù)(TCR)兩個(gè)參數(shù)之間存在著相互制約的關(guān)系,TCR值大的薄膜阻值也大,而降低阻值TCR也會(huì)隨之降低。已有的研究結(jié)果表明,氧化釩薄膜的熱敏特性決定于所形成薄膜的化學(xué)成分計(jì)量比、結(jié)晶狀態(tài)和顯微結(jié)構(gòu)等主要因素,這些主要因素又決定于氧化釩薄膜的制備技術(shù)和制備工藝條件。具有適用性能的VOx薄膜相應(yīng)的工藝窗口通常較窄,所以要獲得具有可重復(fù)性質(zhì)薄膜時(shí),對(duì)制備條件必須加以精確控制,這是研究VOx薄膜的難點(diǎn)所在。不同的VOx薄膜制備技術(shù)和工藝條件獲得的薄膜特性往往差別很大,因此研究各種制備技術(shù)及其工藝條件以形成所需特性的氧化釩薄膜是必須的。室溫附近電阻率溫度系數(shù)是目前國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域科研人員研究中的關(guān)鍵課題。
目前商用的氧化釩薄膜是非晶體,多晶體,或者是非晶體與晶體的混合物結(jié)構(gòu)。薄膜是由幾種氧化釩的混合物組成,例如VO2,V2O3,V2O5,V4O9等。就成分而言,目前應(yīng)用的VOx薄膜沒有固定的成分,但是氧化釩薄膜的平均化合價(jià)有個(gè)大致的范圍,即薄膜的化學(xué)成分計(jì)量比x值在2左右,即釩的平均價(jià)態(tài)為+4價(jià)。
氧化釩薄膜制備的方法有很多種,例如離子束沉積法,磁控濺射沉積法、脈沖激光沉積法、蒸發(fā)法及溶膠-凝膠法等。其中,利用脈沖激光 沉積工藝制得的薄膜均勻性差,而且只能小面積的襯底上制作。利用離子束沉積法很容易靶中毒而且也只能小面積制備。利用蒸發(fā)法制備的薄膜與基底附著力不好且成分不純易混入雜質(zhì);利用溶膠-凝膠法制備的薄膜容易產(chǎn)生龜裂且重復(fù)性差以及難以和標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容。目前先利用磁控濺射方法制備氧化釩混合物薄膜,然后再經(jīng)過后退火工藝微調(diào)其成分,結(jié)構(gòu),性能的研究不夠深入,而且沒有報(bào)道制備出含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種克服上述問題的含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料,及其一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料的制備方法,以實(shí)現(xiàn)優(yōu)化氧化釩薄膜材料的性能,提高釩氧化薄膜的重復(fù)使用壽命。
為了解決上述問題,本發(fā)明公開了一種含有V6O13晶體的非晶氧化釩薄膜材料的制備方法,所述方法包括以下步驟:
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





