[發明專利]一種高阻隔薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201510376479.3
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN104962875B
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 路萬兵;劉賢豪;李麗;于威;黃尚鴻
• 申請（專利權）人: 樂凱華光印刷科技有限公司
• 主分類號: C23C16/02
• 分類號: C23C16/02;C23C16/455;C23C16/40
• 代理公司: 石家莊冀科專利商標事務所有限公司 13108
• 代理人: 李羨民;郭紹華

1.一種高阻隔薄膜的制備方法,包括下述工藝步驟：

（1）將基材放置于基片臺或繞于電極輥上，并對反應室抽真空至1×10^-2 Pa以下；

（2）使用Ar或O₂等離子體對基材表面進行活性處理；

（3）使用等離子體對成膜氣體進行化學氣相沉積，在基材上沉積高阻隔層，得到柔性透明高阻隔薄膜，

其特征在于, 柔性透明高阻隔薄膜是在有粉塵粒子產生的等離子體化學條件下利用等離子體化學氣相沉積技術制備的，懸浮于等離子體中的粉塵粒子本身帶有負電荷；

所述高阻隔薄膜光透過率80%以上；

所述等離子體化學氣相沉積時在真空室內使用粉塵粒子清除裝置，并在通入成膜氣體后、開啟射頻電源之前，開啟粉塵粒子清除裝置；

所述粉塵粒子清除裝置為包含至少一個捕集粉塵粒子的電極、控制捕集電極電位的電源和電路、粉塵粒子存儲及將被捕集的粉塵粒子排除真空腔外的裝置；

所述捕集粉塵粒子的電極的表面由絕緣材料覆蓋；工作時，在捕集粉塵粒子的電極上施加相對于等離子體正的電壓，所述電壓略高于等離子體電勢幾伏；

所述氣相沉積真空室調節工作氣壓為 50 Pa 。

2.根據權利要求1所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，所述基材為光透過率為85%以上的膜或片材。

3.根據權利要求2所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，所述成膜氣體含有硅以及碳、氧、氮中的一種或幾種。

4.根據權利要求3所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，所述成膜氣體中含有硅、氧和碳三種元素。

5.根據權利要求4所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，高阻隔薄膜的高阻隔層為50 ～ 3000 nm厚的碳氧化硅薄膜。

6.根據權利要求5所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，碳氧化硅薄膜的厚度為100～2000 nm。

7.根據權利要求6所述高阻隔薄膜的制備方法，其特征在于，所述基材為5.0 ～ 500μm厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)或聚酰亞胺樹脂膜。