[發明專利]一種探針卡清針方法及清針系統

在審

• 申請號: 201510369466.3
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104931543A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 沈茜;婁曉祺
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;B08B13/00
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

技術領域

本發明屬于半導體集成電路制造技術領域，涉及一種探針卡清針方法及清針系統。

背景技術

隨著半導體技術的不斷進步，集成電路制造工藝要求日益提高，但是由于集成電路的制造周期較長，成本極高，因此提高制造工藝的生產效率以及產品良率顯得尤為重要。同時由于半導體器件的精密性，在出廠前需要對晶圓進行WAT測試(WaferAcceptance?Test，晶片允收測試)，以對晶圓的電學性能進行檢測，避免不符合客戶要求的器件出廠進而造成損失。

目前的測試是直接換上探針卡對晶圓進行WAT測試，利用探針卡的探針扎在晶圓上待測區域的焊墊上來進行電性檢測。隨著我們機臺測試需求的越發頻繁，探針卡的使用情況遠遠超于以往的利用率，在長時間的使用下可能由于種種情況會導致探針卡的出現異常。

在測試過程中，晶圓會出現合格或OOS(超出規格)的電性參數：當晶圓出現超出規格的電性參數時會將晶圓進行重測，以驗證由生產線的問題引起或由量測問題引起。量測問題根據產生的原因主要分為探針卡或量測儀器兩種，而工作人員發現，一半以上的量測問題往往是由探針卡引起的。

探針卡引起量測問題的原因是往往由于測試過程中探針卡的針尖沾上了微小顆粒或針尖發生氧化，而造成的探針與測試襯墊之間接觸電阻變大。電性參數測試的過程是量測儀器給測試器件施加電信號，然后量測器件返回的電信號，而接觸電阻的增加將引起量測參數的偏移。一旦探針卡出現異常而沒有被及時發現并及時清理，利用異常的探針卡直接對待測晶圓進行WAT測試，會造成WAT測試時間浪費及晶圓浪費，同時也會直接影響接下來的測試結果。

因此，本領域技術人員亟需提供的一種探針卡清針方法及清針系統，在測試過程中對探針卡的針尖狀況進行判斷，并自動對針對進行清潔，提高探針卡的測試效率，降低晶圓的測試成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種探針卡清針方法及清針系統，在測試過程中對探針卡的針尖狀況進行判斷，并自動對針對進行清潔，提高探針卡的測試效率，降低晶圓的測試成本。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種探針卡清針方法，包括以下步驟：

步驟S01、獲取探針卡上的探針接觸電阻的測試參數；

步驟S02、預設探針卡上的探針接觸電阻的標準閾值；

步驟S03、將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數與所述標準閾值進行對比；若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數在標準閾值范圍內，則繼續測試，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數超過標準閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針。

優選的，所述探針卡上的探針接觸電阻的標準閾值為-0.3ohM～0.3ohM。

優選的，步驟S03中，若所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數超過標準閾值范圍，則對所述探針卡的探針進行清針并發出警報。

本發明還提供一種探針卡清針系統，包括：

設定存儲模塊，用于預設探針卡的每根探針的接觸電阻的標準閾值；

信息采集模塊，用于獲取所述探針卡每根探針接觸電阻的測試參數；

處理模塊，用于將所述探針卡上的探針接觸電阻的測試參數與所述標準閾值進行對比并進行分析處理；

清針裝置，用于對所述探針卡上的探針進行清理。

優選的，所述設定存儲模塊設定的探針卡上的探針接觸電阻的標準閾值為-0.3ohM～0.3ohM。

優選的，所述處理模塊對所述探針卡每根探針的接觸電阻的測試參數與-0.3ohM～0.3ohM進行比對。

與現有的方案相比，本發明提供的一種探針卡清針方法及清針系統，在測試過程中自動的對探針卡的探針狀況進行判斷，并對其進行清潔，從而減少測試過程中因為探針卡引起的量測問題，進而減少重測率，同時也相應的提升了探針卡的使用效率，降低晶圓的測試成本，提高了測試的可靠性、準確性和效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一種探針卡清針方法的流程示意圖。

具體實施方式