[發明專利]用于形成垂直導電連接的方法

有效

• 申請號: 201510367989.4
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN105226010B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: M·梅納斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

一種用于形成垂直導電連接的方法包括形成包括垂直延伸通過電絕緣層的至少一個孔洞的電絕緣層以及沉積導電層。導電層的表面包括電絕緣層的至少一個孔洞的位置處的凹陷。進一步地，該方法包括在導電層上形成平滑層，以及刻蝕平滑層和導電層直到在電絕緣層的表面的至少一部分上方去除導電層并且導電層保留在至少一個孔洞內。

技術領域

實施例涉及電氣器件的制造，并且具體實施例涉及用于形成垂直導電連接的方法、用于形成半導體器件的方法以及用于形成半導體器件的鎢連接的方法。

背景技術

芯片上的布線的制造是具有挑戰性的任務。需要許多工藝步驟以獲得小尺寸的可靠的導電水平線和垂直連接。一般而言，期望增加電氣器件的可靠性。

發明內容

一些實施例涉及一種用于形成垂直導電連接的方法。該方法包括形成包括垂直延伸通過電絕緣層的至少一個孔洞的電絕緣層以及沉積導電層。導電層的表面包括在電絕緣層的至少一個孔洞上方的凹陷。進一步地，該方法包括在導電層上形成平滑層以及刻蝕平滑層和導電層直到在電絕緣層的表面的至少一部分上方去除導電層并且導電層保留在至少一個孔洞內。

一些實施例涉及一種形成半導體器件的方法。該方法包括形成包括垂直延伸通過電絕緣層的至少一個孔洞的電絕緣層以及沉積導電層。導電層的表面包括在電絕緣層的至少一個孔洞的位置處的凹陷。進一步地，該方法包括在導電層上形成平滑層以及刻蝕平滑層和導電層直到在電絕緣層的表面的至少一部分上方去除導電層并且導電層保留在至少一個孔洞內。

一些實施例涉及一種形成半導體器件的鎢連接的方法。該方法包括形成電絕緣層，電絕緣層包括垂直延伸通過電絕緣層到半導體器件的半導體襯底或金屬層的至少一個孔洞，以及在形成電絕緣層之后沉積鎢層。進一步地，該方法包括在鎢層上形成平滑層以及刻蝕平滑層和鎢層直到在電絕緣層的表面的至少一部分上方去除鎢層并且鎢層保留在至少一個孔洞內。

附圖說明

裝置和/或方法的一些實施例將在下面僅通過示例的方式并且參考附圖進行描述，在附圖中

圖1示出了用于形成垂直導電連接的方法的流程圖；

圖2a-圖2d示出了垂直導電連接的制造的示意圖示；

圖3示出了用于形成半導體器件的方法的流程圖；以及

圖4示出了用于形成半導體器件的鎢連接的方法的流程圖。

具體實施方式

現在將參考其中圖示了一些示例實施例的附圖更加充分地描述各種示例實施例。在圖中，為了清楚起見，線、層和/或區域的厚度可以被夸大。

因此，雖然進一步的實施例能夠有各種修改和備選形式，但是其一些示例實施例僅通過示例的方式在圖中示出，并且將在本文中詳細描述。然而，應當理解，無意將示例實施例限定于所公開的特定形式，而是相反，示例實施例應當涵蓋落入本公開的范圍內的所有修改、等價物和備選物。貫穿附圖的描述，相同數字指代相同或相似的元件。

應該理解的是，當一個元件被稱為“連接”或者“耦合”到另一元件時，它可以直接連接或者耦合到另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當一個元件被稱為被“直接連接”或者“直接耦合”到另一元件時，不存在中間元件。用于描述元件之間的關系的其他詞措辭應該以類似的方式解釋(例如，“之間”對“直接之間”，“鄰近”與“直接鄰近”等)。

本文所使用的術語僅用于描述特定示例實施例的目的，而并不旨在限制進一步的示例實施例。如本文所用的，單數形式“一”、“一個”和“該”旨在也包括復數形式，除非上下文清楚地另外指明。將進一步理解，術語“包括”、“包括了”、“包含”和/或“包含了”當在本文中使用時，指明所陳述的特征、整體、動作、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或者多個其他特征、整體、動作、操作、元件、部件和/或其群組的存在或者附加。