[發(fā)明專利]用于形成垂直導(dǎo)電連接的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510367989.4
• 申請(qǐng)日: 2015-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105226010B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·梅納斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于形成垂直導(dǎo)電連接的方法，所述方法包括：

形成電絕緣層，所述電絕緣層包括垂直延伸通過(guò)所述電絕緣層的孔洞；

沉積導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層的表面包括在所述電絕緣層的所述孔洞上方的凹陷；

在所述導(dǎo)電層上形成平滑層；以及

刻蝕所述孔洞之上的所述平滑層和所述導(dǎo)電層，直到在所述電絕緣層的表面的至少一部分上方去除所述導(dǎo)電層并且所述導(dǎo)電層保留在所述孔洞內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電絕緣層的所述孔洞上方的凹陷包括第一深度，其中在所述電絕緣層的所述孔洞的位置處，所述平滑層包括具有第二深度的凹陷或者是無(wú)凹陷的，其中所述第一深度大于所述第二深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一深度大于200nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二深度小于100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中刻蝕所述平滑層和所述導(dǎo)電層包括在共同的刻蝕工藝期間刻蝕所述平滑層和所述導(dǎo)電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述平滑層和所述導(dǎo)電層由相同的刻蝕劑刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述刻蝕劑是基于氟的刻蝕劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述平滑層在所述共同的刻蝕工藝期間利用第一刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，并且所述導(dǎo)電層在所述共同的刻蝕工藝期間利用第二刻蝕速率進(jìn)行刻蝕，其中所述第一刻蝕速率與所述第二刻蝕速率相差小于所述第二刻蝕速率的30％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述平滑層是包括底部抗反射涂層、光致抗蝕劑層、漆層和酰亞胺層的組中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電層包括從鎢、銅和鋁組成的組中選擇的導(dǎo)電材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述孔洞通過(guò)所述電絕緣層到達(dá)所述電絕緣層下方的半導(dǎo)體襯底或者金屬層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在所述電絕緣層上沉積阻擋層結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電層被沉積在所述阻擋層結(jié)構(gòu)上。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述阻擋層結(jié)構(gòu)包括從由鈦和氮化鈦組成的組中選擇的材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求12的所述的方法，進(jìn)一步包括刻蝕所述阻擋層結(jié)構(gòu)直到在所述電絕緣層的表面的至少一部分上方去除所述阻擋層結(jié)構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括沉積與所述導(dǎo)電層的保留在所述孔洞中的部分電接觸的金屬層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述方法在不具有化學(xué)機(jī)械拋光工藝的情況下在所述導(dǎo)電層和所述金屬層的所述沉積之間實(shí)現(xiàn)。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述孔洞包括50nm和5μm之間的橫向尺寸。