[發明專利]印刷線路板及其制造方法有效
申請號: | 201510367385.X | 申請日: | 2015-06-29 |
公開(公告)號: | CN105323953A | 公開(公告)日: | 2016-02-10 |
發明(設計)人: | 佐伯真理;石岡卓;中村聰 | 申請(專利權)人: | 京瓷電路科技株式會社 |
主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K3/02 |
代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李國華 |
地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 印刷 線路板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及形成于正反面的導體層的厚度差較小的印刷線路板及其制造方法。
背景技術
在基板上形成電路時,存在減成法(サブトラクティブ法)和加成法(アディティブ法)。如JP特開2010-87213號公報所記載的那樣,對于減成法而言,電路寬度的精度由導體厚度來決定,因而形成精細圖案是有限度的。
與此相對,對于加成法而言,電路寬度的精度不易受導體厚度影響,所以例如在電路寬度為50μm以下,尤其±10μm的高精度的精細圖案形成方面優異。在加成法中,有全加成法(フルアディティブ法)和半加成法(セミアディティブ法),主流的技術是半加成法。進而在半加成法中,衍生技術有MSAP(ModifiedSemiAdditiveProcess,改進型半加成法)。
對于半加成法而言,如JP特開2003-8222號公報以及JP特開2007-88476號公報所記載的那樣,在整個絕緣樹脂上形成化學鍍的種子層,在其上形成鍍覆阻劑(めっきレジスト)。接著,使鍍覆阻劑進行曝光、顯影,去除想要形成電路圖案、導通孔等的部位的鍍覆阻劑。接著,在去除了鍍覆阻劑的部分,通過圖案電鍍來形成電路圖案、導通孔等。最后,去除鍍覆阻劑,通過閃蝕刻(flashetching)去除種子層(化學鍍層),去除化學鍍的催化劑,由此形成電路。
對于MSAP而言,如JP特開2007-88476號公報所記載的那樣,除了使用層疊在絕緣樹脂層上的銅作為種子層、不需要去除催化劑以外,與半加成法相同。對于MSAP而言,在形成了導通孔的情況下,雖然需要至少在導通孔下孔(空穴)內壁進行化學鍍作為種子層,但無需像半加成法那樣在整個絕緣樹脂表面進行化學鍍。因此,能夠比較容易地形成種子層。而且,無需去除在化學鍍時作為催化劑來使用的鈀。根據這些特征,MSAP與半加成法相比能夠比較容易地形成微細電路。
在JP特開2010-87213號公報所記載的減成法中,成為電路的下部向兩側拉得較長的裙擺(裾引き)狀。裙擺量由導體層的厚度決定,電路越精細,裙擺量與電路寬度的比率越高。因此,若力圖形成微細電路,則形成電路的導體層的剖面形狀接近于梯形。若是更加精細的電路則成為三角形,作為極端的示例而言,裙擺大到不能構成三角形的頂點的程度,導體厚度和電路寬度小于設計值,變得不再能說是正常的電路形成。對于這樣的形狀的電路而言,還存在電氣特性不穩定的問題。
對于在JP特開2003-8222號公報以及特開2007-88476號公報所記載的半加成法、MSAP中進行的圖案電鍍,可以舉出如下的(I)、(II)那樣的問題點。
(I)導體層的厚度(鍍覆厚度)受圖案的疏密影響較大
用于實施圖案電鍍的電流的密度受到電路圖案的面積的疏密影響,所以在面內有圖案面積密集的區域和稀疏的區域的情況下,鍍覆厚度的分布變差。因此,難以使面內成為均勻的鍍覆厚度。尤其是在絕緣板的正反兩面上電路圖案的面積不相同、且電路圖案的疏密較大不同的情況等下,在圖案疏的面,電流密度較高,導體層(鍍覆厚度)較厚。相反地,圖案密的面存在電流密度較低、導體層(鍍覆厚度)較薄這樣的問題點。
(II)電流值的繞流所引起的鍍覆厚度的減少
在圖案電鍍時,在基板的正反兩面電路圖案的面積較大不同、且在正反施加了不同的電流值的情況下,在電流值較低的一方會發生電流值的繞流現象。因此在連續投入了基板時,鍍覆厚度按照鍍覆投入順序而減少的傾向得到確認。為了緩和該現象,需要使比通常的虛設板的塊數更多的塊數通過,但問題并未完全消除。
在正反施加了不同的電流值的情況下,電流值的繞流量根據投入塊數而不同。由于該影響,因而發生各面板的鍍覆厚度根據所投入的塊數而變化的現象。
發明內容
本發明的課題在于,提供一種在印刷線路板的每個區域電路圖案的面積不同的情況下,抑制了各區域的電路圖案的疏密給導體層的厚度帶來的影響的印刷線路板及其制造方法。
本實施方式所涉及的印刷線路板具備:在絕緣樹脂的兩面形成了導電性金屬層的絕緣板、和形成在絕緣板的兩面并且根據區域而不同的電路圖案的導體層。形成在絕緣板的兩面的電路圖案包含線寬精度為±10μm以下的圖案,并且電路圖案的面積密集的區域的導體層厚度和稀疏的區域的導體層厚度具有下式的關系:
密集的區域的導體層厚度/稀疏的區域的導體層厚度=0.7~1.0。
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