[發(fā)明專利]一種制作鎳硅化物的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510367130.3
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104952800B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鮑宇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28;H01L29/78
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陳慧弘

1.一種制作鎳硅化物的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：提供一形成有NMOS和PMOS的半導體襯底，沉積一SiN層作為金屬硅化物阻擋層，并選擇性地去除PMOS上需要形成金屬硅化物區(qū)域的SiN，即去除PMOS柵極和源/漏區(qū)域的SiN，保留NMOS上的SiN層；

步驟S02：依次沉積一第一NiPt層和壓應力第一TiN層，并選擇性地去除NMOS上的第一TiN層、第一NiPt層，隨后，選擇性地去除NMOS上需要形成金屬硅化物區(qū)域的SiN；

步驟S03：沉積一第二NiPt層和拉應力第二TiN層，并選擇性地去除PMOS上的第二TiN層、第二NiPt層；

步驟S04：進行第一次退火，在需要形成金屬硅化物的區(qū)域形成第一鎳硅化物；

步驟S05：去除第一、第二TiN層以及沒有反應的第一、第二NiPt層；

步驟S06：進行第二次退火，在需要形成金屬硅化物的區(qū)域形成第二鎳硅化物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一鎳硅化物為Ni₂Si，所述第二鎳硅化物為NiSi。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt層中Pt的含量范圍分別為0～15％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt層中Pt的含量不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第二NiPt層中Pt的含量大于第一NiPt層中Pt的含量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、3、4或5所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt層的厚度范圍為30～300埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二NiPt層的厚度不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二TiN層的厚度范圍為20～300埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一、第二TiN層的厚度不同。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作鎳硅化物的方法，其特征在于，所述第一次退火溫度為200～350℃，第二次退火溫度為350～550℃。