[發明專利]一種晶體硅濕法氧化工藝

有效

• 申請號: 201510364840.0
• 申請日: 2015-06-29
• 公開（公告）號: CN104934315B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 沈專;趙福祥;朱敏杰;徐世永;金起弘
• 申請（專利權）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/316
• 代理公司: 南通市永通專利事務所32100
• 代理人: 葛雷

1.一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是:依次包括以下步驟：

(1)上料：將晶體硅片放入在線式濕化學設備軌道；

(2)去磷硅玻璃：在室溫條件下，將晶體硅片浸泡于HF溶液，去除晶體硅兩面及各邊的磷硅玻璃；

(3)噴淋漂洗：純水噴淋漂洗；

(4)邊緣刻蝕：用由HF酸、HNO₃酸、H₂SO₄酸組成的刻蝕溶液進行邊緣刻蝕；

(5)噴淋漂洗：純水噴淋漂洗；

(6)堿洗：去多孔硅，中和酸；

(7)噴淋漂洗：純水噴淋漂洗；

(8)濕法氧化：采用氧化化學溶液進行氧化處理；

(9)噴淋漂洗：純水噴淋漂洗；

(10)干燥：高溫壓縮空氣干燥；

(11)下料，準備流入下道工序。

2.根據權利要求1所述的晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(2)中，在室溫條件下，將晶體硅片浸泡于濃度為1％～10％的HF溶液，去除晶體硅兩面及各邊的磷硅玻璃，表面為疏水狀態。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(3)中，在室溫條件下，循環水由噴灑管注入，漂洗去除磷硅玻璃殘留及HF酸。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(5)中，在室溫條件下，循環水由噴灑管注入，漂洗去除HF酸、HNO₃酸、H₂SO₄酸殘留。

5.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(6)中，在溫度20℃～25℃的條件下，用0.1％～6％的KOH溶液，去多孔硅，中和前道的酸，處理時間為10秒～60秒。

6.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(8)中，氧化化學溶液由下列質量百分比的成分混合組成，氯氣0～1％；次氯酸0～3％；氯酸0～1％；鹽酸0～20％；雙氧水0～3％；臭氧0～2％；含氟表面活性劑全氟癸烯對氧苯磺酸鉀鹽0～0.5％；陰離子表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉0～0.5％；余量為水；氧化處理時，將上述氧化化學溶液與純水按體積比1:1～20混合使用，氧化處理時間為5秒～90秒。

7.根據權利要求6所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：氧化化學溶液由下列質量百分比的成分混合組成，氯氣0.1～1％；次氯酸0.1～3％；氯酸0.1～1％；鹽酸0.1～20％；雙氧水0.1～3％；臭氧0.1～2％；含氟表面活性劑全氟癸烯對氧苯磺酸鉀鹽0.1～0.5％；陰離子表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉0.1～0.5％；余量為水。

8.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(10)中，通過30℃～80℃的壓縮空氣干燥硅片表面。

9.根據權利要求1所述的一種晶體硅濕法氧化工藝，其特征是：步驟(4)中，刻蝕溶液中HF的濃度為1％～10％，HNO₃的濃度為10％～30％，H₂SO₄的濃度為10％～30％，余量為純水，處理時間為60秒～130秒。