[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510363671.9 | 申請日: | 2015-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN105098074B | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李鴻鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/05 |
| 代理公司: | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王安娜;李翔 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 及其 制作方法 陣列 顯示 面板 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板及裝置,該方法包括在親水的結(jié)構(gòu)層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟;其中,所述在親水的結(jié)構(gòu)層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟,包括:在所述親水的結(jié)構(gòu)層的上表面形成親油材料層;對所述親油材料層進(jìn)行圖案化,去除待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域之外的親油材料,保留位于所述待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域的親油材料得到親油層;采用親油的有機(jī)材料利用濕法工藝在所述親油層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層。本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制作方法,能夠較為簡單的實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的濕法制備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板及裝置。
背景技術(shù)
隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展,液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速,己經(jīng)取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為未來平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中,薄膜晶體管液晶顯示器TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦等領(lǐng)域。
有機(jī)薄膜晶體管是指半導(dǎo)體層由有機(jī)材料制成的晶體管。相比于傳統(tǒng)的薄膜晶體管,有機(jī)薄膜晶體管的制作成本更低,具有更廣泛的應(yīng)用價值。但是有機(jī)薄膜晶體管的有機(jī)材料很難通過大面積的濕法工藝形成在承載有機(jī)材料的膜層(一般為親水的結(jié)構(gòu)層)上,限制了有機(jī)薄膜晶體管技術(shù)的推廣。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于解決上述技術(shù)問題。
第一方面,本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制作方法,包括在親水的結(jié)構(gòu)層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟;所述在親水的結(jié)構(gòu)層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層的步驟,包括:
在所述親水的結(jié)構(gòu)層的上表面形成親油材料層;
對所述親油材料層進(jìn)行圖案化,去除待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域之外的親油材料,保留位于所述待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域的親油材料得到親油層;
采用親油的有機(jī)材料利用濕法工藝在所述親油層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層。
進(jìn)一步的,所述親水的結(jié)構(gòu)層為柵絕緣層。
進(jìn)一步的,所述親油材料層的材料為六甲基二硅胺烷。
進(jìn)一步的,對所述親油材料層進(jìn)行圖案化,去除待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域之外的親油材料,保留位于所述待形成有機(jī)半導(dǎo)體層的區(qū)域的親油材料得到親油層,具體包括:
在所述親油材料層上涂覆光刻膠,并對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域;
去除光刻膠保留區(qū)域的部分光刻膠,并去除光刻膠去除區(qū)域的親油材料;
剝離光刻膠保留區(qū)域剩余部分的光刻膠,得到親油層。
進(jìn)一步的,去除光刻膠保留區(qū)域的部分光刻膠,并去除光刻膠去除區(qū)域的親油材料之后,剝離光刻膠保留區(qū)域的部分光刻膠,得到親油層之前,所述方法還包括:
對去除了親油材料的區(qū)域的親水的結(jié)構(gòu)層的上表面進(jìn)行親水處理,以提高該區(qū)域的親水的結(jié)構(gòu)層的上表面的親水性。
進(jìn)一步的,所述對去除了親油材料的區(qū)域的親水的結(jié)構(gòu)層的上表面進(jìn)行親水處理包括:
采用表面處理劑對去除了親油材料的區(qū)域的親水的結(jié)構(gòu)層的上表面進(jìn)行清洗;或者
采用離子轟擊法對去除了親油材料的區(qū)域的親水的結(jié)構(gòu)層的上表面進(jìn)行轟擊。
進(jìn)一步的,所述表面處理劑為苯甲酸或者重氮鹽。
進(jìn)一步的,所述親油的有機(jī)材料為6,13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)并五苯。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
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H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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