[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板及裝置有效
| 申請號： | 201510363671.9 | 申請日： | 2015-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN105098074B | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 李鴻鵬 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/00 | 分類號： | H01L51/00;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 王安娜;李翔 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 及其 制作方法 陣列 顯示 面板 裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管的制作方法，包括在親水的結構層上形成有機半導體層的步驟；其特征在于，所述在親水的結構層上形成有機半導體層的步驟，包括：
在所述親水的結構層的上表面形成親油材料層；所述親油材料層的材料為六甲基二硅胺烷；
在所述親油材料層上涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光顯影形成光刻膠保留區域和光刻膠去除區域；
去除光刻膠保留區域的部分光刻膠，并去除光刻膠去除區域的親油材料；
剝離光刻膠保留區域剩余部分的光刻膠，得到親油層；
對去除了親油材料的區域的親水的結構層的上表面進行親水處理，以提高該區域的親水的結構層的上表面的親水性；
采用親油的有機材料利用濕法工藝在所述親油層上形成有機半導體層，所述親油的有機材料為6,13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)并五苯。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述親水的結構層為柵絕緣層。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對去除了親油材料的區域的親水的結構層的上表面進行親水處理包括：
采用表面處理劑對去除了親油材料的區域的親水的結構層的上表面進行清洗；或者
采用離子轟擊法對去除了親油材料的區域的親水的結構層的上表面進行轟擊。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面處理劑為苯甲酸或者重氮鹽。
5.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，包括：親水的結構層以及形成在所述親水的結構層之上的親油層，形成在所述親油層之上的有機半導體層，所述有機半導體層與所述親油層面積一致，位置對應，其中所述親油層的材料為六甲基二硅胺烷，所述有機半導體層的材料為6,13-雙(三異丙基硅烷基乙炔基)并五苯。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括基底以及形成在所述基底上的有機薄膜晶體管陣列，所述有機薄膜晶體管陣列中的有機薄膜晶體管為如權利要求5所述的有機薄膜晶體管。
7.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求6所述的陣列基板。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求7所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
