[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510363072.7
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104952887A
• 公開（公告）日: 2015-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯學(xué)成;盧凱;郭建
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個薄膜晶體管和具有至少一個樹脂過孔的樹脂層，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、柵極、有源區(qū)，至少部分樹脂過孔處的樹脂層下方設(shè)有用于降低樹脂過孔處端差的端差調(diào)整層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括像素區(qū)和非像素區(qū)，所述像素區(qū)中設(shè)有所述樹脂層，并具有樹脂過孔，所述像素區(qū)的樹脂層的樹脂過孔處設(shè)有所述端差調(diào)整層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極設(shè)于像素區(qū)中且被樹脂層覆蓋，漏極上方的樹脂層中設(shè)有樹脂過孔，所述端差調(diào)整層位于漏極下方，且端差調(diào)整層與漏極在基板上的投影至少部分重合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素區(qū)中從下到上依次設(shè)有柵極絕緣層、漏極、樹脂層、鈍化層、像素電極，所述端差調(diào)整層設(shè)于柵極絕緣層與漏極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述端差調(diào)整層與漏極在基板上的投影完全重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂層由感光樹脂或非感光樹脂構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂層厚度為1.2～3.0μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述端差調(diào)整層與有源區(qū)同層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述端差調(diào)整層與柵極同層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述端差調(diào)整層厚度為0.2～0.35μm。

11.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成柵極的步驟，

形成有源區(qū)的步驟，

形成源極、漏極的步驟，

形成具有至少一個樹脂過孔的樹脂層的步驟，

以及形成至少部分樹脂過孔處的樹脂層下方的端差調(diào)整層的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成有源區(qū)的步驟與所述形成源極、漏極的步驟非一步形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成有源區(qū)的步驟與所述形成至少部分樹脂過孔處的樹脂層下方的端差調(diào)整層的步驟為一步形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述形成柵極的步驟與所述形成至少部分樹脂過孔處的樹脂層下方的端差調(diào)整層的步驟為一步形成。

15.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的陣列基板。