[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510363009.3
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN105225971B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉松直樹;內(nèi)田清宏;鹿野武敏;新飼雅芳
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，具有下述工序：

在基板的一個主表面上安裝半導(dǎo)體芯片和筒狀電極；

以至少使所述筒狀電極的與安裝至所述基板的一個端部相反側(cè)的另一個端部露出的方式，利用樹脂材料對所述基板、所述半導(dǎo)體芯片以及所述筒狀電極進(jìn)行封裝；以及

在所述封裝的工序之后形成開口，該開口從所述筒狀電極的所述另一個端部連通至所述筒狀電極內(nèi)的空腔部，

在進(jìn)行形成所述開口的工序前，所述筒狀電極的所述另一個端部被封堵住，

在所述空腔部的側(cè)方配置的所述筒狀電極的主體的壁厚從所述一個端部側(cè)向所述另一個端部側(cè)逐漸地變薄，

所述筒狀電極的外周以所述筒狀電極的外周的俯視觀察時的大小從所述一個端部側(cè)朝向所述另一個端部側(cè)逐漸變小的方式傾斜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

所述筒狀電極形成為在所述一個端部側(cè)包含凸緣，

所述筒狀電極通過所述凸緣安裝至所述基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在進(jìn)行形成所述開口的工序前，所述筒狀電極的所述另一個端部的壁厚在俯視觀察時與所述空腔部重合的區(qū)域的至少一部分的正上方，比其他區(qū)域薄。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

在進(jìn)行形成所述開口的工序前，所述筒狀電極的所述另一個端部的壁厚在所述空腔部的外周的正上方，比除了所述空腔部的外周的正上方以外的區(qū)域薄。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

安裝所述筒狀電極的工序包含下述工序：

通過單一的夾具保持多個所述筒狀電極；以及

所述夾具將多個所述筒狀電極一并地向所述基板的一個主表面上供給。