[發明專利]像素結構、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201510362528.8
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN105116648A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 明星;申智淵
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種像素結構、一種具有該像素結構的陣列基板及一種應用該陣列基板的顯示裝置。

背景技術

隨著觸摸屏技術的不斷發展，觸控(Touch)和顯示(Display)不再是兩種獨立的技術形式，越來越多的薄膜晶體管型液晶顯示屏(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)廠家開始嘗試將Touch和Display兩者進行有機的結合，內嵌式觸控(In-CellTouch)、單片式觸控(OneGlassSolution，OGS)、覆蓋表面式觸控(On-CellTouch)和混合內嵌式觸控(HybridIn-CellTouch)等將Touch和Display相結合的觸控技術競相涌現。

相比OGS、On-CellTouch或HybridIn-CellTouch面板，In-CellTouch面板具備更加輕薄、工藝流程更少、結構更加穩定等優點。In-CellTouch技術將觸控電路全部集成在LCD內部，無須再外貼觸控感應玻璃(TouchSensorGlass)或者在LCD上面再進行On-Cell制程，從而實現了集成化及縮短了生產流程和生產時間，使得LCD生產廠商的利潤更大化。同時，通過使用高分辨的曝光機，可以實現In-CellTouch面板更高的分辨率，并能有效防止莫瑞干涉。因此，In-CellTouch面板將成為中小尺寸觸控面板未來發展的主流方向。

在In-CellTouch面板的生產過程中，需要在陣列基板上設計為了觸控顯示的電極和走線，如采用低溫多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)陣列，其陣列制程比傳統的傳統非晶硅(α-Si)制程復雜得多。所以In-CellTouch和LTPS的集成不但會使得陣列制程更加復雜，生產周期更長，而且對陣列制程的要求也更加嚴格。

In-CellTouch面板一般可分為自容式和互容式，二者都需要用于連接像素區域的連接電極，因此制程上會增加一道或兩道光刻(PhotoEngravingProcess，PEP)制程來制作連接像素區域的連接電極(或稱作Metal3或M3)和相應的絕緣層。增加的M3制程會對產品的良率產生風險，因為M3的刻蝕制程會導致斑紋(Mura)缺陷。然而，在In-CellTouch技術中又不得不采用M3以連接像素區域，因此一定程度上限制了In-CellTouch面板良率提升。

發明內容

本發明提供一種像素結構，通過利用現有的柵極金屬和源/漏極金屬來制作用于連接像素區域的連接電極，以簡化陣列基板制程、降低產生斑紋缺陷的風險、提升產品良率。

另外，本發明還提供一種應用該像素結構的陣列基板。

此外，本發明還提供一種應用該陣列基板的顯示裝置。

一種像素結構，包括掃描線、數據線及像素區域，所述掃描線沿水平方向平行間隔設置，所述數據線沿垂直方向平行間隔設置，所述掃描線與所述數據線相互交疊形成所述像素區域，所述像素結構還包括用于連接所述像素區域的連接電極，所述連接電極包括第一連接層和第二連接層，所述第一連接層與所述掃描線位于同一圖層，并與所述掃描線交叉設置，所述第一連接層在與所述掃描線的交叉處被隔斷，所述第二連接層與所述數據線位于同一圖層，并跨越所述掃描線設置，所述第一連接層在所述交叉處的兩側通過第一過孔與所述第二連接層電性連接。

其中，所述第一連接層設置于所述數據線下方，并在被所述掃描線隔斷處的兩側沿平行于所述掃描線的方向同向延伸一段距離，以在所述隔斷處的兩側各形成一連接端，所述第二連接層的兩端在正投影方向上與所述連接端部分重疊，并通過所述第一過孔與所述連接端電性連接。

其中，所述像素結構還包括薄膜晶體管、公共電極和像素電極，所述薄膜晶體管形成于所述掃描線與所述數據線的交疊處，所述薄膜晶體管包括柵極、多晶硅層、源極和漏極，所述柵極與所述掃描線電性連接，所述多晶硅層設置于所述柵極上方，所述源極和漏極設置于所述多晶硅層上方，并分別通過一第二過孔與所述多晶硅層電性連接，所述公共電極通過一第三過孔與所述第二連接層電性連接，所述像素電極通過一第三過孔及一第四過孔與所述漏極電性連接。