[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510362528.8 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105116648A | 公開(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 明星;申智淵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種像素結(jié)構(gòu),包括掃描線、數(shù)據(jù)線及像素區(qū)域,所述掃描線沿水平方向平行間隔設(shè)置,所述數(shù)據(jù)線沿垂直方向平行間隔設(shè)置,所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線相互交疊形成所述像素區(qū)域,其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)還包括用于連接所述像素區(qū)域的連接電極,所述連接電極包括第一連接層和第二連接層,所述第一連接層與所述掃描線位于同一圖層,并與所述掃描線交叉設(shè)置,所述第一連接層在與所述掃描線的交叉處被隔斷,所述第二連接層與所述數(shù)據(jù)線位于同一圖層,并跨越所述掃描線設(shè)置,所述第一連接層在所述交叉處的兩側(cè)通過第一過孔與所述第二連接層電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一連接層設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線下方,并在被所述掃描線隔斷處的兩側(cè)沿平行于所述掃描線的方向同向延伸一段距離,以在所述隔斷處的兩側(cè)各形成一連接端,所述第二連接層的兩端在正投影方向上與所述連接端部分重疊,并通過所述第一過孔與所述連接端電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)還包括薄膜晶體管、公共電極和像素電極,所述薄膜晶體管形成于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線的交疊處,所述薄膜晶體管包括柵極、多晶硅層、源極和漏極,所述柵極與所述掃描線電性連接,所述多晶硅層設(shè)置于所述柵極上方,所述源極和漏極設(shè)置于所述多晶硅層上方,并分別通過一第二過孔與所述多晶硅層電性連接,所述公共電極通過一第三過孔與所述第二連接層電性連接,所述像素電極通過一第三過孔及一第四過孔與所述漏極電性連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述像素結(jié)構(gòu)還包括基板及依次層疊設(shè)置于所述基板上的第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層和第四絕緣層,所述柵極與所述第一連接層間隔設(shè)置于所述基板上,所述第一絕緣層設(shè)置于所述柵極及第一連接層上方,所述多晶硅層設(shè)置于所述第一絕緣層上方,且在正投影方向上與所述柵極對(duì)齊,所述第二絕緣層設(shè)置于所述多晶硅層上方,所述第三絕緣層設(shè)置于所述第二絕緣層上方,所述公共電極設(shè)置于所述第三絕緣層上方,所述第四絕緣層設(shè)置于所述公共電極上方,所述像素電極設(shè)置于所述第四絕緣層上方。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述源極、漏極及所述第二連接層設(shè)置于所述第三絕緣層內(nèi),且所述源極在正投影方向上與所述多晶硅層的一端部分重疊,所述漏極在正投影方向上所述多晶硅層的另一端部分重疊,所述第二連接層位于所述第一連接層上方,且在正投影方向上與所述第一連接層部分重疊。
6.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述多晶硅層包括第一連接段、第二連接段及第三連接段,所述第一連接段與所述第三連接段相互平行間隔地跨越所述掃描線設(shè)置,所述第二連接段連接于所述第一連接段和第三連接段位于所述掃描線同一側(cè)的兩端之間,并與所述掃描線平行。
7.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一連接層與所述柵極和所述掃描線位于同一圖層,所述第二連接層與所述源極、漏極和所述數(shù)據(jù)線位于同一圖層,所述第一連接層與所述柵極和掃描線在同一次制作工藝中同步形成,所述第二連接層與所述源極、漏極和所述數(shù)據(jù)線在同一次制作工藝中同步形成。
8.一種陣列基板,包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線及多個(gè)像素區(qū)域,所述掃描線沿水平方向平行間隔設(shè)置,所述數(shù)據(jù)線沿垂直方向平行間隔設(shè)置,所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線相互交疊形成所述像素區(qū)域,其特征在于,所述陣列基板還包括用于連接所述像素區(qū)域的連接電極,所述連接電極包括第一連接層和第二連接層,所述第一連接層與所述掃描線位于同一圖層,并與所述掃描線交叉設(shè)置,所述第一連接層在與所述掃描線的交叉處被隔斷,所述第二連接層與所述數(shù)據(jù)線位于同一圖層,并跨越所述掃描線設(shè)置,所述第一連接層在所述交叉處的兩側(cè)通過第一過孔與所述第二連接層電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一連接層設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線下方,并在被所述掃描線隔斷處的兩側(cè)沿平行于所述掃描線的方向同向延伸一段距離,以在所述隔斷處的兩側(cè)各形成一連接端,所述第二連接層的兩端在正投影方向上與所述連接端部分重疊,并通過所述第一過孔與所述連接端電性連接。
10.一種顯示裝置,包括陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
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G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
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