[發(fā)明專利]一種封裝基板及其制作工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510360625.3
• 申請日: 2015-06-26
• 公開（公告）號: CN104979298B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 朱美軍
• 申請（專利權）人: 江西芯創(chuàng)光電有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/13;H05K3/00
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司44218
• 代理人: 黃良寶

1.一種封裝基板的制作工藝，其特征在于所述工藝包括有如下步驟：

1)、選取兩塊BT樹脂材質的基板，將其中一塊基板作上基板，另一塊作下基板；

2）、將兩塊基板分別清洗后濺鍍鈦和銅，在基板表面形成金屬薄膜層；

3）、在兩塊基板上分別經(jīng)上光阻劑、光阻曝光、光阻顯影及電鍍銅操作，在兩塊基板上分別制作成相應的電路層；

4）、去除上基板上光阻劑，重新進行上光阻劑、光阻曝光、光阻顯影及在光阻顯影后將上基板依次置于銅、鎳、錫電解槽內(nèi)進行電鍍，在上基板的下表面電路層上電鍍出電鍍凸塊；

5）、在兩塊基板完成電鍍操作之后，去除光阻劑置于蝕刻液中蝕刻掉裸露出的金屬薄膜層，使電路層與保留的金屬薄膜層形成電路；

6）、在上基板上切割出感光通孔，在下基板上與感光通孔對應位置切割出尺寸大于感光通孔，且可容納需倒裝芯片的芯片存放孔；

7）、將上基板與下基板通過膠層壓合，感光通孔與芯片存放孔構成一個臺階結構的芯片孔；所述的電鍍凸塊位于臺階面上；

8）、對壓合狀態(tài)的上基板和下基板進行鉆孔，并對鉆孔進行孔金屬化處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的工藝，其特征在于：在第4）中還包括有去除下基板上光阻劑，重新進行上光阻劑、光阻曝光、光阻顯影及在光阻顯影后將下基板依次置于銅、鎳、錫電解槽內(nèi)進行電鍍，在下基板的下表面電路層上電鍍出焊接端子的操作。