[發明專利]器件晶片的評價方法

有效

• 申請號: 201510349474.1
• 申請日: 2015-06-23
• 公開（公告）號: CN105225980B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 介川直哉;原田晴司
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

器件晶片的評價方法。本發明提供一種能夠在不污染器件晶片的情況下評價去疵性的評價方法。器件晶片(11)在正面(11a)形成有多個器件(19)并且在內部形成有去疵層(23)，該器件晶片的評價方法中，朝向器件晶片的背面(11b)照射電磁波(M1)并且照射激勵光(L)而生成過量載流子，根據反射后的電磁波(M2)的衰減時間來判斷器件晶片中形成的去疵層的去疵性。

技術領域

本發明涉及對在正面上形成有多個器件的器件晶片的去疵性進行評價的評價方法。

背景技術

在以移動電話為代表的小型且重量輕的電子設備中，具有IC等器件的器件芯片是必要的結構。器件芯片例如以如下方式制造：利用被稱為間隔道的多條分割預定線對由硅等材料制成的晶片的正面進行劃分并在各區域形成器件之后，沿著該間隔道分割晶片。

近年來，以器件芯片的小型化、輕量化等為目的而將器件形成后的晶片(以下，稱為器件晶片)加工成較薄的機會增加。然而，例如，當研磨器件晶片使其薄化到100μm以下時，對于器件來說，對有害金屬元素的活動進行抑制的去疵效果會降低，器件的動作不良會變得多發。

為了解決該問題，提出了一種在器件晶片中形成捕獲金屬元素的去疵層的加工方法(例如，參照專利文獻1)。在該加工方法中，通過按照規定的條件對器件晶片進行磨削，而在維持器件晶片的抗彎強度的同時形成包含規定的磨削應變的去疵層。

專利文獻1：日本特開2009-94326號公報

發明內容

然而，采用上述的加工方法而形成的去疵層未必始終表現出良好的去疵性。要想評價去疵層的去疵性，例如可以實際利用金屬元素來試著污染器件晶片，但是在該情況下，將會無法得到優質的器件芯片。即，采用該評價方法，無法評價作為產品的器件晶片。

本發明是鑒于上述問題點而完成的，其目的在于，提供一種器件晶片的評價方法，能夠在不污染器件晶片的情況下評價去疵性。

根據本發明，提供一種器件晶片的評價方法，所述器件晶片在正面形成有多個器件并且在內部形成有去疵層，其特征在于，朝向器件晶片的背面照射電磁波并且照射激勵光而生成過量載流子，根據反射后的電磁波的衰減時間來判斷器件晶片中形成的去疵層的去疵性。

本發明中，優選所述激勵光的波長是904nm，對衰減時間相對于未在內部形成去疵層的晶片的衰減時間為94％以下的器件晶片判斷為具有去疵性。

并且，本發明中，優選所述激勵光的波長是532nm，對衰減時間相對于未在內部形成去疵層的晶片的衰減時間為75％以下的器件晶片判斷為具有去疵性。

并且，本發明中，優選所述激勵光的波長是349nm，對衰減時間相對于未在內部形成去疵層的晶片的衰減時間為45％以下的器件晶片判斷為具有去疵性。

在本發明的器件晶片的評價方法中，由于對當去疵層的去疵性提高時由激勵光的照射而產生的過量載流子的壽命變短這一關系加以利用，并根據與載流子壽命相當的反射后的電磁波的衰減時間來評價去疵性，因此不必像現有的評價方法那樣用金屬元素來污染器件晶片便能夠評價去疵性。

附圖說明

圖1中的(A)是示意性示出形成去疵層前的器件晶片的立體圖，(B)是示意性示出將保護部件粘貼到器件晶片的正面側的情形的立體圖。

圖2是示意性示出對器件晶片的背面側進行磨削而形成去疵層的情形的立體圖。

圖3是示意性示出對器件晶片的背面側進行研磨而部分性地去除磨削應變(應力)的情形的立體圖。

圖4是示意性示出本實施方式的器件晶片的評價方法的局部剖視側視圖。

標號說明