[發(fā)明專利]器件晶片的評(píng)價(jià)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510349474.1
• 申請(qǐng)日: 2015-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN105225980B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 介川直哉;原田晴司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種器件晶片的評(píng)價(jià)方法，所述器件晶片在正面形成有多個(gè)器件并且在背面?zhèn)刃纬捎邪ハ鲬?yīng)變的去疵層，其特征在于，

朝向器件晶片的該背面照射電磁波并且照射一種單一波長(zhǎng)的激勵(lì)光而生成過量載流子，測(cè)量反射后的電磁波針對(duì)評(píng)價(jià)對(duì)象的所述器件晶片的衰減時(shí)間，并對(duì)該衰減時(shí)間與規(guī)定的基準(zhǔn)時(shí)間進(jìn)行比較，由此，判斷器件晶片中形成的包含磨削應(yīng)變的去疵層的去疵性，所述規(guī)定的基準(zhǔn)時(shí)間是所述電磁波針對(duì)沒有形成去疵層的晶片的衰減時(shí)間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件晶片的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

所述激勵(lì)光的波長(zhǎng)是904nm，

對(duì)衰減時(shí)間相對(duì)于未在內(nèi)部形成去疵層的晶片的衰減時(shí)間為94％以下的器件晶片，判斷為具有去疵性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件晶片的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

所述激勵(lì)光的波長(zhǎng)是532nm，

對(duì)衰減時(shí)間相對(duì)于未在內(nèi)部形成去疵層的晶片的衰減時(shí)間為75％以下的器件晶片，判斷為具有去疵性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件晶片的評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

所述激勵(lì)光的波長(zhǎng)是349nm，

對(duì)衰減時(shí)間相對(duì)于未在內(nèi)部形成去疵層的晶片的衰減時(shí)間為45％以下的器件晶片，判斷為具有去疵性。