[發明專利]一種表面鈍化的納米鍺顆粒的制備方法有效
| 申請號： | 201510341884.1 | 申請日： | 2015-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN104985177B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發明（設計）人： | 倪牮;李昶;張建軍;孫小香;蔡宏琨;張德賢;李娟 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | B22F1/02 | 分類號： | B22F1/02;C23C16/44;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 鈍化 納米 顆粒 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種一步法合成表面鈍化的納米鍺顆粒的方法，其特征如下：
（1）液體鍺源和水在載氣的作用下以氣體分子的形式進入反應腔室，所述液體鍺源為四氯化鍺或四溴化鍺；
（2）電感耦合系統作用于反應腔室使氣體分子電離從而形成等離子體；
（3）等離子體中直接形成表面鈍化的納米鍺顆粒；
（4）等離子體中形成的納米鍺顆粒表面由鍺-氧鍵和鍺-氫氧鍵共同鈍化；
（5）等離子體中形成的納米鍺顆粒的晶化率達到80%以上。
2.如權利要求1所述的一種一步法合成表面鈍化的納米鍺顆粒的方法，其特征在于：權利要求1中所述的電感耦合系統中使用13.56MHz的射頻電源。
3.一種一步法合成的表面鈍化的納米鍺顆粒，其特征在于：
（1）采用權利要求1中所述的方法合成；
（2）顆粒表面由鍺-氧鍵和鍺-氫氧鍵共同鈍化；
（3）鍺-氧鍵和鍺-氫氧鍵的鍵長短，電子能以隧穿的方式在顆粒間傳輸，具有良好的電學性能；
（4）鍺-氧鍵和鍺-氫氧鍵的鍵能小，可以通過簡單的熱分解移除；
（5）顆粒整體的晶化率達到80%以上。
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