[發(fā)明專利]探測(cè)基板及其制造方法、探測(cè)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510341771.1
• 申請(qǐng)日: 2015-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN105097860B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭煒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發(fā)明公開了一種探測(cè)基板及其制造方法、探測(cè)器，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，能夠降低暗電流噪聲的影響，提高探測(cè)器的探測(cè)精度。本發(fā)明提供的探測(cè)基板包括：同層設(shè)置的多個(gè)感應(yīng)電極和多個(gè)偏壓電極，且所述感應(yīng)電極和所述偏壓電極交替間隔排列，至少一個(gè)所述感應(yīng)電極與其相鄰的所述偏壓電極之間設(shè)置有絕緣塊。本發(fā)明用于改進(jìn)探測(cè)器。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種探測(cè)基板及其制造方法、探測(cè)器。

背景技術(shù)

目前，X射線攝影裝置被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療檢測(cè)、材料探傷、海關(guān)安檢等領(lǐng)域。其中，X射線探測(cè)器是X射線攝影裝置中的關(guān)鍵部件之一，其性能的優(yōu)劣會(huì)對(duì)X射線攝影裝置成像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。

如圖1所示，目前較常用的一種X射線探測(cè)器包括X射線探測(cè)基板111和讀取電路6，其中，X射線探測(cè)基板111包括襯底基板11、襯底基板11上的薄膜晶體管5陣列和薄膜晶體管5陣列上的X射線吸收層1，以及位于薄膜晶體管5陣列和X射線吸收層1之間的多個(gè)感應(yīng)電極2和多個(gè)偏壓電極3，且感應(yīng)電極2和偏壓電極3交替間隔排列；其中，每個(gè)薄膜晶體管5的柵極和源極分別與讀取電路6連接，其漏極通過(guò)一個(gè)存儲(chǔ)電容4接地，每個(gè)存儲(chǔ)電容4的非接地端連接感應(yīng)電極2。

當(dāng)采用X射線探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)時(shí)，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，偏壓電極3上加載有正電位，首先，入射的X射線使X射線吸收層1產(chǎn)生電子空穴對(duì)，這些電子空穴對(duì)中的空穴在感應(yīng)電極2和偏壓電極3所形成的電場(chǎng)作用下，朝向感應(yīng)電極2方向移動(dòng)，并經(jīng)感應(yīng)電極2存儲(chǔ)到存儲(chǔ)電容4中；然后，讀取電路6控制各薄膜晶體管5逐個(gè)開啟，以讀出每個(gè)存儲(chǔ)電容4存儲(chǔ)的電荷量。對(duì)于每一薄膜晶體管5，其連接的存儲(chǔ)電容4存儲(chǔ)的電荷量與其所對(duì)應(yīng)的X射線吸收層1區(qū)域接收到的X射線量相關(guān)，通過(guò)讀取電路6讀出的電荷量便可以知道入射到X射線探測(cè)基板111上的X射線分布，完成X射線的探測(cè)。

然而，在上述探測(cè)過(guò)程中，X射線吸收層1會(huì)隨機(jī)產(chǎn)生由環(huán)境溫度所激發(fā)的電子空穴對(duì)，由環(huán)境溫度所激發(fā)的空穴與X射線所激發(fā)的空穴一樣會(huì)存儲(chǔ)到存儲(chǔ)電容4中，導(dǎo)致通過(guò)讀取電路6獲得的電荷信號(hào)中存在干擾信號(hào)，即產(chǎn)生暗電流噪聲，當(dāng)暗電流噪聲較大時(shí)會(huì)嚴(yán)重影響X射線探測(cè)器的探測(cè)精度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種探測(cè)基板及其制造方法、探測(cè)器，能夠降低暗電流噪聲的影響，提高探測(cè)器的探測(cè)精度，進(jìn)而提高探測(cè)器的成像質(zhì)量。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供一種探測(cè)基板，包括：同層設(shè)置的多個(gè)感應(yīng)電極和多個(gè)偏壓電極，且所述感應(yīng)電極和所述偏壓電極交替間隔排列，至少一個(gè)所述感應(yīng)電極與其相鄰的所述偏壓電極之間設(shè)置有絕緣塊。

優(yōu)選地，每一個(gè)所述感應(yīng)電極與其相鄰的所述偏壓電極之間均設(shè)置有絕緣塊。

在本發(fā)明的探測(cè)基板中的感應(yīng)電極和偏壓電極同層設(shè)置且交替間隔排列，相鄰的感應(yīng)電極和偏壓電極之間的間隔處電場(chǎng)強(qiáng)度最大，因而感應(yīng)電極從上述間隔處收集電子/空穴的能力最強(qiáng)，本發(fā)明的探測(cè)基板在上述間隔處設(shè)置絕緣塊，取代了現(xiàn)有技術(shù)中在間隔處由X射線吸收層材料填充的結(jié)構(gòu)，由于環(huán)境溫度不能從絕緣塊中激發(fā)出電子空穴對(duì)，因而，可以減少上述間隔處產(chǎn)生的由環(huán)境溫度激發(fā)的電子空穴對(duì)數(shù)量，從而有效減少收集到的由環(huán)境溫度激發(fā)的電子/空穴數(shù)量，從而降低暗電流噪聲的影響，提高X射線探測(cè)器的探測(cè)精度，提高X射線攝影裝置的成像質(zhì)量。

第二方面，本發(fā)明還提供一種探測(cè)器，包括上述任一種的探測(cè)基板。

第三方面，本發(fā)明還提供一種探測(cè)基板的制造方法，包括：

形成同層設(shè)置的多個(gè)感應(yīng)電極和多個(gè)偏壓電極，且所述感應(yīng)電極和所述偏壓電極交替間隔排列；

在至少一個(gè)所述感應(yīng)電極與其相鄰的所述偏壓電極之間形成絕緣塊。

本發(fā)明提供的探測(cè)器和探測(cè)基板的制造方法，與本發(fā)明提供的探測(cè)基板具有相同的有益效果，此處不再贅述。