[發明專利]離子注入裝置及離子注入裝置的控制方法

在審

• 申請號: 201510328896.0
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN105206493A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 岡田慶二;藤井嘉人;工藤哲也;戎真志;廣川卓
• 申請（專利權）人: 住友重機械離子技術有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

技術領域

本申請主張基于2014年6月17日申請的日本專利申請第2014-124227號的優先權。其申請的全部內容通過參考援用于本說明書中。

本發明涉及一種離子注入裝置及離子注入裝置的控制方法。

背景技術

半導體制造工序中，出于改變導電性以及改變半導體晶片的晶體結構的目的等而規范地實施向半導體晶片注入離子的工序(以下有時稱為“離子注入工序”)。在離子注入工序中使用的裝置被稱為離子注入裝置，該裝置具有通過離子源生成離子，并使生成的離子加速以形成離子束的功能；及將該離子束傳輸至真空處理室，并向處理室內的晶片照射離子束的功能。并且，離子注入裝置上設有向處理室供給未進行離子注入的晶片，并排出進行了離子注入的晶片的裝置(以下還稱為“晶片輸送裝置”)。

晶片輸送裝置具有用于向真空處理室搬入置于大氣壓中的晶片的裝載鎖定室。晶片輸送裝置在將晶片搬入到大氣壓狀態的裝載鎖定室之后，對裝載鎖定室進行真空排氣，通過連通成為真空狀態的裝載鎖定室與真空處理室而將晶片搬入到處理室。搬入晶片所需的時間與在裝載鎖定室中進行排氣的時間息息相關，可通過設置多個裝載鎖定室來提高晶片輸送的處理能力。例如作為可提高輸送能力的晶片輸送裝置，可舉出設置兩個裝載鎖定室并且在裝載鎖定室與真空處理室之間設置中間輸送室的結構。中間輸送室中設有用于實現真空處理室與裝載鎖定室之間的晶片輸送的輸送機構(參考專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2006-156762號公報

中間輸送室與真空處理室相鄰配置，因此有時因傳輸到真空處理室的離子束中所含的離子或被離子束濺射的粒子等的流入而受到污染。若中間輸送室或設置于中間輸送室的輸送機構受到污染，則輸送中的晶片也有可能受到污染的影響。

發明內容

本發明鑒于這種情況而完成，其目的在于提供一種能夠減小對輸送中的晶片的污染的影響的技術。

本發明的一種方式的離子注入裝置具備：真空處理室，進行對晶片的離子注入處理；一個以上的裝載鎖定室，用于將晶片搬入到真空處理室，并從真空處理室搬出晶片；中間輸送室，與真空處理室及裝載鎖定室這兩者相鄰而設；中間輸送機構，設置于中間輸送室，并實現裝載鎖定室與中間輸送室之間的晶片輸送及中間輸送室與真空處理室之間的晶片輸送；裝載鎖定室-中間輸送室連通機構，其具有連通裝載鎖定室與中間輸送室之間的裝載鎖定室-中間輸送室連通口；及可封閉裝載鎖定室-中間輸送室連通口的閘閥；及中間輸送室-真空處理室連通機構，其具有連通中間輸送室與真空處理室之間的中間輸送室-真空處理室連通口；及能夠屏蔽中間輸送室-真空處理室連通口的一部分或全部的可動式屏蔽板。

本發明的另一方式為離子注入裝置的控制方法。該方法為離子注入裝置的控制方法，其中，離子注入裝置具備：真空處理室，進行對晶片的離子注入處理；一個以上的裝載鎖定室，用于將晶片搬入到真空處理室，并從真空處理室搬出晶片；中間輸送室，與真空處理室及裝載鎖定室這兩者相鄰而設；中間輸送機構，設置于中間輸送室，并實現裝載鎖定室與中間輸送室之間的晶片輸送及中間輸送室與真空處理室之間的晶片輸送；裝載鎖定室-中間輸送室連通機構，其具有連通裝載鎖定室與中間輸送室之間的裝載鎖定室-中間輸送室連通口；及能夠封閉裝載鎖定室-中間輸送室連通口的閘閥；及中間輸送室-真空處理室連通機構，其具有連通中間輸送室與真空處理室之間的中間輸送室-真空處理室連通口；及能夠屏蔽中間輸送室-真空處理室連通口的一部分或全部的可動式屏蔽板。該方法具備如下工序：在中間輸送室與真空處理室之間輸送晶片時，將屏蔽板設于不妨礙中間輸送室與真空處理室之間的晶片輸送的開位置；及在真空處理室進行離子注入處理時，將屏蔽板設于屏蔽中間輸送室-真空處理室連通口的至少一部分的閉位置。

另外，在方法、裝置、系統等之間相互替換以上構成要件的任意組合或本發明的構成要件或表現形式的發明，作為本發明的方式同樣有效。

發明效果

根據本發明能夠減小對輸送中的晶片的污染的影響。

附圖說明

圖1為表示實施方式所涉及的離子注入裝置的概略結構的俯視圖。

圖2為表示實施方式所涉及的離子注入裝置的概略結構的側視圖。

圖3為表示中間輸送室及裝載鎖定室的概略結構的剖視圖。

圖4為表示真空處理室及中間輸送室的概略結構的剖視圖。

圖5為示意地表示晶片從中間輸送室被送往真空處理室的情形的圖。

圖6為示意地表示對晶片進行離子注入處理的情形的圖。