[發明專利]離子注入裝置及離子注入裝置的控制方法

在審

• 申請號: 201510328896.0
• 申請日: 2015-06-15
• 公開（公告）號: CN105206493A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 岡田慶二;藤井嘉人;工藤哲也;戎真志;廣川卓
• 申請（專利權）人: 住友重機械離子技術有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種離子注入裝置，其特征在于，具備：

真空處理室，進行對晶片的離子注入處理；

一個以上的裝載鎖定室，用于將晶片搬入到所述真空處理室，并從所述真空處理室搬出晶片；

中間輸送室，與所述真空處理室及所述裝載鎖定室這兩者相鄰而設；

中間輸送機構，設置于所述中間輸送室，并實現所述裝載鎖定室與所述中間輸送室之間的晶片輸送及所述中間輸送室與所述真空處理室之間的晶片輸送；

裝載鎖定室-中間輸送室連通機構，其具有連通所述裝載鎖定室與所述中間輸送室之間的裝載鎖定室-中間輸送室連通口；及可封閉所述裝載鎖定室-中間輸送室連通口的閘閥；及

中間輸送室-真空處理室連通機構，其具有連通所述中間輸送室與所述真空處理室之間的中間輸送室-真空處理室連通口；及能夠屏蔽所述中間輸送室-真空處理室連通口的一部分或全部的可動式屏蔽板。

2.根據權利要求1所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述裝載鎖定室-中間輸送室連通口及所述中間輸送室-真空處理室連通口為供晶片通過而設。

3.根據權利要求1或2所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板構成為，能夠封閉所述中間輸送室-真空處理室連通口。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述中間輸送室與不同于連接在所述真空處理室的第1真空排氣裝置的第2真空排氣裝置連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板設置于所述中間輸送室與所述真空處理室中的至少一方。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板設置于所述中間輸送室-真空處理室連通口的中途。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板構成為，能夠在不妨礙所述中間輸送室與所述真空處理室之間的晶片輸送的開位置與屏蔽所述中間輸送室-真空處理室連通口的一部分或全部的閉位置之間進行變更。

8.根據權利要求7所述的離子注入裝置，其特征在于，

在所述中間輸送室與所述真空處理室之間輸送晶片時，所述屏蔽板位于所述開位置；在所述真空處理室進行離子注入處理時，所述屏蔽板位于所述閉位置。

9.根據權利要求7或8所述的離子注入裝置，其特征在于，

在所述中間輸送室與所述真空處理室之間開始輸送晶片時，所述屏蔽板從所述閉位置向所述開位置移動；在所述中間輸送室與所述真空處理室之間結束晶片輸送時，所述屏蔽板從所述開位置向所述閉位置移動。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板具有閘門式結構，該結構使得所述屏蔽板能夠向與在所述中間輸送室和所述真空處理室之間輸送的晶片的輸送方向正交的方向移動。

11.根據權利要求10所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板由能夠封閉所述中間輸送室-真空處理室連通口的閘閥構成。

12.根據權利要求1至9中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板具有擺動式結構，該結構使得所述屏蔽板能夠向與在所述中間輸送室和所述真空處理室之間輸送的晶片的輸送方向移動。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的離子注入裝置，其特征在于，

所述屏蔽板通過屏蔽所述中間輸送室-真空處理室連通口的一部分或全部，來防止離子和/或被離子束濺射的粒子從所述真空處理室侵入到所述中間輸送室。

14.根據權利要求13所述的離子注入裝置，其特征在于，

在所述真空處理室進行離子注入處理過程中，作為上一個離子注入處理對象的處理完畢的晶片和/或作為下一個離子注入處理對象的處理前的晶片通過所述中間輸送機構被搬入到所述中間輸送室，

所述屏蔽板防止搬入到所述中間輸送室的所述處理完畢晶片和/或所述處理前的晶片因可能侵入到所述中間輸送室的所述離子或所述粒子而被污染。