[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510320010.8
• 申請日: 2015-06-11
• 公開（公告）號: CN104882453B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史大為
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、以及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示屏的分辨率越來越高，單個(gè)像素的尺寸逐漸減小，像素之間的間距也逐漸變窄。對于頂層電極充當(dāng)像素電極的產(chǎn)品，如圖1所示，由于像素電極1在邊緣處的電場最強(qiáng)，液晶偏轉(zhuǎn)最明顯，因此為了提高透過率，通常將像素電極1設(shè)計(jì)成具有兩條分電極的分立圖形結(jié)構(gòu)，如圖2所示。

與單條像素電極的設(shè)計(jì)方案相比，分立像素電極的透過率明顯提高。并且，在具有分立圖形結(jié)構(gòu)的像素電極中，兩條分電極之間的間隙越小，產(chǎn)品的整體透過率越高。

然而，分立像素電極在設(shè)計(jì)上不同于公共電極，兩條分電極的間隙處不允許有電極材料殘留。因此當(dāng)顯示屏的分辨率繼續(xù)提高時(shí)，具有分立結(jié)構(gòu)的像素電極在尺寸設(shè)計(jì)上會受到曝光機(jī)分辨率的限制，過于精細(xì)的間隙將無法實(shí)現(xiàn)，而只能采用單條像素電極的結(jié)構(gòu)，這會使透過率大大降低，不利于產(chǎn)品特性的提升。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以解決具有分立結(jié)構(gòu)的像素電極在尺寸設(shè)計(jì)和制作過程中受到曝光機(jī)分辨率限制的技術(shù)問題。

為解決上述技術(shù)問題，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括像素電極和薄膜晶體管，所述像素電極包括第一分電極、與該第一分電極一體形成的第一連接部、第二分電極和與該第二分電極一體形成的第二連接部，所述第一分電極和所述第二分電極絕緣分層設(shè)置，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

優(yōu)選地，所述第一分電極和所述第二分電極之間設(shè)置有第一鈍化層，所述第一分電極和所述第二分電極通過所述第一鈍化層絕緣設(shè)置。

優(yōu)選地，所述第一鈍化層的厚度在之間。

優(yōu)選地，制作所述第一鈍化層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的任意一種或幾種。

優(yōu)選地，所述第一分電極包括第一條形部和與所述第一條形部連接的第一彎折部，所述第一彎折部與所述第一連接部分別位于所述第一條形部的兩端，所述第二分電極包括第二條形部和與所述第二條形部連接的第二彎折部，所述第二彎折部與所述第二連接部分別位于所述第二條形部的兩端，所述第一彎折部在所述陣列基板上的正投影和所述第二彎折部在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊。

優(yōu)選地，所述第一分電極和所述第二分電極中位于下層的一者的寬度大于或者等于位于上層的一者的寬度。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括襯底和依次設(shè)置在所述襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、平坦化層、公共電極、以及第二鈍化層，所述像素電極形成在所述第二鈍化層上。

優(yōu)選地，所述第二鈍化層上設(shè)置有第二過孔，所述第一連接部穿過所述第二過孔與所述漏極電連接，所述第一分電極和所述第二分電極之間設(shè)置有第一鈍化層，所述第一鈍化層上設(shè)置有第一過孔，所述第二連接部穿過所述第一過孔與所述漏極電連接，所述第一過孔和所述第二過孔同軸設(shè)置。

作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，還提供一種陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

形成第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部；

形成與所述第一分電極絕緣分層設(shè)置的第二分電極、以及與該第二分電極連接為一體的第二連接部；

其中，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

優(yōu)選地，形成與所述第一分電極絕緣分層設(shè)置的第二分電極、以及與該第二分電極連接為一體的第二連接部的步驟包括：

在所述第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部上形成第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上形成所述第二分電極和所述第二連接部。

優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成所述第一分電極之前進(jìn)行的：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、平坦化層、公共電極、以及第二鈍化層；

在所述第二鈍化層上形成第二過孔，所述第二過孔貫穿所述第二鈍化層到達(dá)所述漏極；

其中，所述第一分電極和所述第一連接部形成在所述第二鈍化層上，所述第一連接部穿過所述第二過孔與所述漏極電連接。

優(yōu)選地，所述制作方法還包括在形成所述第二分電極之前進(jìn)行的：

在所述第一鈍化層上形成第一過孔，所述第一過孔貫穿所述第一鈍化層到達(dá)所述漏極；