[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201510320010.8
• 申請日: 2015-06-11
• 公開（公告）號: CN104882453B
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 史大為
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,陳源

1.一種陣列基板，所述陣列基板包括像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述像素電極包括第一分電極、與該第一分電極一體形成的第一連接部、第二分電極和與該第二分電極一體形成的第二連接部，所述第一分電極和所述第二分電極絕緣分層設置，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的漏極電連接；

其中，所述第一分電極包括第一條形部和與所述第一條形部連接的第一彎折部，所述第一彎折部與所述第一連接部分別位于所述第一條形部的兩端，所述第二分電極包括第二條形部和與所述第二條形部連接的第二彎折部，所述第二彎折部與所述第二連接部分別位于所述第二條形部的兩端，所述第一彎折部在所述陣列基板上的正投影和所述第二彎折部在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一分電極和所述第二分電極之間設置有第一鈍化層，所述第一分電極和所述第二分電極通過所述第一鈍化層絕緣設置。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度在之間。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，制作所述第一鈍化層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的任意一種或幾種。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一分電極和所述第二分電極中位于下層的一者的寬度大于或者等于位于上層的一者的寬度。

6.根據權利要求1至4中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括襯底和依次設置在所述襯底上的柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、平坦化層、公共電極、以及第二鈍化層，所述像素電極形成在所述第二鈍化層上。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二鈍化層上設置有第二過孔，所述第一連接部穿過所述第二過孔與所述漏極電連接，所述第一分電極和所述第二分電極之間設置有第一鈍化層，所述第一鈍化層上設置有第一過孔，所述第二連接部穿過所述第一過孔與所述漏極電連接，所述第一過孔和所述第二過孔同軸設置。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1至7中任意一項所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管和形成像素電極的步驟，其特征在于，所述形成像素電極的步驟包括：

形成第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部；

形成與所述第一分電極絕緣分層設置的第二分電極、以及與該第二分電極連接為一體的第二連接部；

其中，所述第一連接部和所述第二連接部均與所述薄膜晶體管的漏極電連接；

并且，所述第一分電極包括第一條形部和與所述第一條形部連接的第一彎折部，所述第一彎折部與所述第一連接部分別位于所述第一條形部的兩端，所述第二分電極包括第二條形部和與所述第二條形部連接的第二彎折部，所述第二彎折部與所述第二連接部分別位于所述第二條形部的兩端，所述第一彎折部在所述陣列基板上的正投影和所述第二彎折部在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成與所述第一分電極絕緣分層設置的第二分電極、以及與該第二分電極連接為一體的第二連接部的步驟包括：

在所述第一分電極和與該第一分電極連接為一體的第一連接部上形成第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上形成所述第二分電極和所述第二連接部。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在形成所述第一分電極之前進行的：

提供襯底；

在所述襯底上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極、平坦化層、公共電極、以及第二鈍化層；

在所述第二鈍化層上形成第二過孔，所述第二過孔貫穿所述第二鈍化層到達所述漏極；

其中，所述第一分電極和所述第一連接部形成在所述第二鈍化層上，所述第一連接部穿過所述第二過孔與所述漏極電連接。

12.根據權利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在形成所述第二分電極之前進行的：

在所述第一鈍化層上形成第一過孔，所述第一過孔貫穿所述第一鈍化層到達所述漏極；

其中，所述第一過孔和所述第二過孔同軸設置，所述第二連接部穿過所述第一過孔與所述漏極電連接。