[發(fā)明專利]蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510313924.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105280474B | 公開(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 近藤昌樹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 處理 方法 以及 斜角 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置,該斜角蝕刻裝置監(jiān)視被照射到基板的斜角部之前的激光并檢測激光的輸出值的變動(dòng)。該蝕刻處理方法使用了斜角蝕刻裝置,該斜角蝕刻裝置具備激光發(fā)生器和測量從上述激光發(fā)生器輸出的激光的功率計(jì),照射激光來蝕刻基板,該蝕刻處理方法包括以下工序:在照射激光來蝕刻基板之前,向功率計(jì)將激光照射規(guī)定時(shí)間;利用上述功率計(jì)來測量激光的輸出值;判定進(jìn)行上述測量得到的激光的輸出值相對(duì)于從上述激光發(fā)生器輸出的激光的輸出設(shè)定值而言是否處于規(guī)定閾值的范圍內(nèi)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置。
背景技術(shù)
附著于半導(dǎo)體晶圓(以下簡稱為“晶圓”。)的斜角部(晶圓端部的做出倒角的部分)的斜角/背側(cè)聚合物會(huì)污染器件的表面或者影響產(chǎn)品的成品率。
因此,提出了一種向晶圓的斜角部照射激光來對(duì)斜角/背側(cè)聚合物進(jìn)行蝕刻以將該斜角/背側(cè)聚合物從晶圓去除的裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)。通過監(jiān)視并控制向激光發(fā)生器提供的電流來管理被照射到斜角部的激光的輸出強(qiáng)度。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-141237號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
然而,即使在向激光發(fā)生器提供的電流相同的情況下,激光的輸出強(qiáng)度也會(huì)由于激光發(fā)生器的故障、經(jīng)時(shí)變化而變動(dòng)。存在如下?lián)鷳n:在激光的輸出值發(fā)生了異常的情況下,無法檢測出該異常而向晶圓的斜角部照射高于規(guī)定值的功率的激光,使得晶圓的斜角部被削去或者在斜角部產(chǎn)生缺口。
針對(duì)上述問題,一個(gè)方面的目的在于監(jiān)視被照射到基板的斜角部之前的激光并檢測激光的輸出值的變動(dòng)。
為了解決上述問題,根據(jù)一個(gè)方式,提供一種蝕刻處理方法,該蝕刻處理方法使用斜角蝕刻(日語:ベベルエッチング)裝置,該斜角蝕刻裝置具備激光發(fā)生器和測量從上述激光發(fā)生器輸出的激光的功率計(jì),照射激光來蝕刻基板,該蝕刻處理方法包括以下工序:在照射激光來蝕刻基板之前,向功率計(jì)將激光照射規(guī)定時(shí)間;利用上述功率計(jì)來測量激光的輸出值;以及判定進(jìn)行上述測量得到的激光的輸出值相對(duì)于從上述激光發(fā)生器輸出的激光的輸出設(shè)定值而言是否處于規(guī)定閾值的范圍內(nèi)。
根據(jù)一個(gè)方式,能夠監(jiān)視被照射到基板的斜角部之前的激光并檢測激光的輸出值的變動(dòng)。
附圖說明
圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的斜角蝕刻裝置的整體結(jié)構(gòu)的一例的圖。
圖2是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的蝕刻處理的一例的流程圖。
圖3是表示由功率計(jì)(power meter)測量的激光的輸出值的隨時(shí)間的變化的一例的圖。
圖4是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的功率計(jì)的測量結(jié)果的一例的圖。
圖5是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的校正圖表的一例的圖。
圖6是用于說明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的功率計(jì)的測量原理的圖。
圖7是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的結(jié)構(gòu)的一例的圖。
圖8是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一例的圖。
圖9是一個(gè)實(shí)施方式所涉及的堆疊部(半導(dǎo)體激光器)的放大圖。
圖10是表示一個(gè)實(shí)施方式所涉及的激光發(fā)生器的輸出的經(jīng)時(shí)變化的一例的圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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