[發明專利]蝕刻處理方法以及斜角蝕刻裝置有效
| 申請號： | 201510313924.1 | 申請日： | 2015-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN105280474B | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 近藤昌樹 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 處理 方法 以及 斜角 裝置 | ||
1.一種蝕刻處理方法，使用斜角蝕刻裝置，該斜角蝕刻裝置具備激光發生器、測量從所述激光發生器輸出的激光的功率計、以及與上述激光發生器相連接并用于照射從上述激光發生器輸出的激光的激光照射頭，照射激光來蝕刻基板，該蝕刻處理方法包括以下工序：
將上述激光照射頭移動至激光照射不到上述基板的位置；
在照射激光來蝕刻基板之前，向功率計將激光照射2秒～10秒；
利用上述功率計來測量激光的輸出值；
判定進行上述測量得到的激光的輸出值相對于從上述激光發生器輸出的激光的輸出設定值而言是否處于規定閾值的范圍內；以及
在判定為進行上述測量得到的激光的輸出值處于上述規定閾值的范圍內時，將上述激光照射頭移動至激光能夠照射到上述基板的位置。
2.根據權利要求1所述的蝕刻處理方法，其特征在于，
上述規定閾值是±10％的范圍內。
3.根據權利要求1或2所述的蝕刻處理方法，其特征在于，還包括以下工序：在判定為進行上述測量得到的激光的輸出值處于上述規定閾值的范圍之外時，自動校正從上述激光發生器輸出的激光的輸出值。
4.根據權利要求1或2所述的蝕刻處理方法，其特征在于，
還包括以下工序：在判定為進行上述測量得到的激光的輸出值處于上述規定閾值的范圍之外時，執行規定的錯誤處理。
5.一種斜角蝕刻裝置，具備激光發生器、測量從上述激光發生器輸出的激光的功率計、與上述激光發生器相連接并用于照射從上述激光發生器輸出的激光的激光照射頭、以及控制部，該斜角蝕刻裝置照射激光來蝕刻基板，
其中，上述控制部進行包括以下過程的控制：
將上述激光照射頭移動至激光照射不到上述基板的位置；
在照射激光來蝕刻基板之前，向功率計將激光照射2秒～10秒；
獲取利用上述功率計測量出的激光的輸出值；
判定所獲取到的上述激光的輸出值相對于激光的輸出設定值而言是否處于規定閾值的范圍內，該激光的輸出設定值是對上述激光發生器設定的值；
在判定為所獲取到的上述激光的輸出值處于上述規定閾值的范圍內時，將上述激光照射頭移動至激光能夠照射到上述基板的位置；
在判定為所獲取到的上述激光的輸出值處于上述規定閾值的范圍之外時，自動校正從上述激光發生器輸出的激光的輸出值，以及/或者執行規定的錯誤處理。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
