[發明專利]LTPS陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201510310588.5
• 申請日: 2015-06-08
• 公開（公告）號: CN104882415B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 王聰;杜鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司;武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H01L21/28
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

本發明提供一種LTPS陣列基板及其制造方法。該方法包括：在包括形成柵極的基體上依次形成絕緣層、半導體層和正性光阻層；自基體背向柵極的一側進行曝光以形成多晶硅層；在多晶硅層上形成源極和漏極；在絕緣層和部分源極上形成像素電極；在由源極和漏極上形成具有接觸孔的平坦鈍化層；在平坦鈍化層上形成透明電極層，使得透明電極層可通過接觸孔與柵極、源極和漏極電連接。本發明能夠減少LTPS工藝所使用的光罩的類型及數量，簡化制程并降低生產成本。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶硅)陣列基板及其制造方法。

背景技術

采用LTPS工藝的液晶顯示裝置由于具有較高的電子遷移率，能夠有效減小TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的面積以提升像素的開口率，并且在增強顯示亮度的同時能夠降低功耗及生產成本，目前已成為液晶顯示領域的研究熱點。但是LTPS工藝復雜，制備陣列基板(Array基板)所需的光罩(Mask)的類型及數量較多，導致制造流程繁多，無法降低生產成本。因此如何減少LTPS工藝所使用的光罩的類型及數量，實為目前企業需要努力的目標。

發明內容

鑒于此，本發明實施例提供一種LTPS陣列基板及其制造方法，能夠減少LTPS工藝所使用的光罩的類型及數量。

本發明一實施例提供一種LTPS陣列基板的制造方法，包括：在基體上形成LTPS陣列基板的薄膜晶體管的柵極；在包括柵極的基體上依次形成絕緣層、半導體層和第一正性光阻層，絕緣層的上表面為一平面；自基體背向柵極的一側進行曝光以形成多晶硅層；在多晶硅層上形成薄膜晶體管的源極和漏極；在絕緣層和一部分的源極上形成像素電極；在由源極和漏極組成的源漏電極層上形成平坦鈍化層，并在平坦鈍化層內形成接觸孔以暴露柵極、源極和漏極的表面，接觸孔位于多晶硅層以外的區域；在平坦鈍化層上形成透明電極層，使得透明電極層可通過接觸孔與柵極、源極和漏極電連接。

其中，在包括柵極的基體上形成絕緣層之前，還在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層，且緩沖層的上表面和柵極的上表面構成一平面。

其中，在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層的步驟包括：在包括柵極的基體上依次形成緩沖層、負性光阻層；自基體背向柵極的一側進行曝光，以除去位于柵極正上方的負性光阻層；除去位于柵極正上方的緩沖層，且保留未被柵極覆蓋的基體上的緩沖層。

其中，在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層的步驟包括：在包括柵極的基體上依次形成緩沖層、第二正性光阻層；自基體朝向柵極的一側進行曝光，以除去位于柵極正上方的第二正性光阻層；除去位于柵極正上方的緩沖層，且保留未被柵極覆蓋的基體上的緩沖層。

其中，自基體背向柵極的一側進行曝光以形成多晶硅層的步驟包括：自基體背向柵極的一側進行曝光，以僅在對應于柵極的正上方的第一區域保留第一正性光阻層；向除第一區域之外的半導體層注入第一雜質離子；自基體背向柵極的一側進行曝光，以在柵極的正上方形成第二區域的第一正性光阻層，第二區域小于第一區域；向除第二區域之外的半導體層注入第二雜質離子；除去第二區域的第一正性光阻層。

其中，除去第二區域的第一正性光阻層的步驟之后還包括：在多晶硅層上涂布光阻層并根據預定圖案進行曝光；蝕刻去除預定圖案以外的多晶硅層；除去剩余的光阻層。

其中，第一雜質離子和第二雜質離子分別為N+、N－型雜質離子。

其中，自基體背向柵極的一側進行曝光以形成多晶硅層的步驟包括：自基體背向柵極的一側進行曝光，以僅在對應于柵極的正上方的第一區域保留第一正性光阻層；向除第一區域之外的半導體層注入P型雜質離子；自基體背向柵極的一側進行曝光，以在柵極的正上方形成第二區域的第一正性光阻層，第二區域小于第一區域；除去第二區域的第一正性光阻層。