[發(fā)明專利]LTPS陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510310588.5
• 申請(qǐng)日: 2015-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN104882415B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王聰;杜鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司;武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/12;H01L21/28
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種LTPS陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基體上形成所述LTPS陣列基板的薄膜晶體管的柵極；

在包括所述柵極的所述基體上依次形成絕緣層、半導(dǎo)體層和第一正性光阻層，其中所述絕緣層的上表面為一平面；

自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光以形成多晶硅層；

其中，自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以僅在對(duì)應(yīng)于所述柵極的正上方的第一區(qū)域保留所述第一正性光阻層；

向除所述第一區(qū)域之外的所述半導(dǎo)體層注入第一雜質(zhì)離子；

自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以在所述柵極的正上方形成第二區(qū)域的所述第一正性光阻層，所述第二區(qū)域小于所述第一區(qū)域；

向除所述第二區(qū)域之外的所述半導(dǎo)體層注入第二雜質(zhì)離子；

除去所述第二區(qū)域的所述第一正性光阻層；在所述多晶硅層上形成所述薄膜晶體管的源極和漏極；

在所述絕緣層和一部分的所述源極上形成像素電極；

在由所述源極和所述漏極組成的源漏電極層上形成平坦鈍化層，并在所述平坦鈍化層內(nèi)形成接觸孔以暴露所述柵極、所述源極和所述漏極的表面，所述接觸孔位于所述多晶硅層以外的區(qū)域；

在所述平坦鈍化層上形成透明電極層，使得所述透明電極層可通過所述接觸孔與所述柵極、所述源極和所述漏極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在包括所述柵極的所述基體上形成所述絕緣層之前，所述方法還包括：

在未被所述柵極覆蓋的所述基體上形成緩沖層，且所述緩沖層的上表面和所述柵極的上表面構(gòu)成一平面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在未被所述柵極覆蓋的所述基體上形成所述緩沖層的步驟包括：

在包括所述柵極的所述基體上依次形成緩沖層、負(fù)性光阻層；

自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以除去位于所述柵極正上方的所述負(fù)性光阻層；

除去位于所述柵極正上方的所述緩沖層，且保留未被所述柵極覆蓋的所述基體上的所述緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在未被所述柵極覆蓋的所述基體上形成所述緩沖層的步驟包括：

在包括所述柵極的所述基體上依次形成緩沖層、第二正性光阻層；

自所述基體朝向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以除去位于所述柵極正上方的所述第二正性光阻層；

除去位于所述柵極正上方的所述緩沖層，且保留未被所述柵極覆蓋的所述基體上的所述緩沖層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述除去所述第二區(qū)域的所述第一正性光阻層的步驟之后還包括：

在所述多晶硅層上涂布光阻層并根據(jù)預(yù)定圖案進(jìn)行曝光；

蝕刻去除所述預(yù)定圖案以外的所述多晶硅層；

除去剩余的所述光阻層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一雜質(zhì)離子為N+型或者P型雜質(zhì)離子，且所述第二雜質(zhì)離子為N-型雜質(zhì)離子。

7.一種LTPS陣列基板，其特征在于，所述LTPS陣列基板包括：

基體；

柵極，位于所述基體上；

依次形成于包括所述柵極的所述基體上的絕緣層、多晶硅層，其中所述絕緣層的上表面為一平面；其中，所述多晶硅層由自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以僅在對(duì)應(yīng)于所述柵極的正上方的第一區(qū)域保留第一正性光阻層；向除所述第一區(qū)域之外的半導(dǎo)體層注入第一雜質(zhì)離子；自所述基體背向所述柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以在所述柵極的正上方形成第二區(qū)域的所述第一正性光阻層，所述第二區(qū)域小于所述第一區(qū)域；向除所述第二區(qū)域之外的所述半導(dǎo)體層注入第二雜質(zhì)離子；除去所述第二區(qū)域的所述第一正性光阻層所形成的；

源極和漏極，位于所述多晶硅層上；

像素電極，位于所述絕緣層和一部分的所述源極上；

平坦鈍化層，位于由所述源極和所述漏極組成的源漏電極層上，所述平坦鈍化層內(nèi)形成接觸孔以暴露所述柵極、所述源極和所述漏極的表面，所述接觸孔位于所述多晶硅層以外的區(qū)域；

透明電極層，位于所述平坦鈍化層上且所述透明電極層可通過所述接觸孔與所述柵極、所述源極和所述漏極電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LTPS陣列基板，其特征在于，所述LTPS陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層位于未被所述柵極覆蓋的所述基體上，且所述緩沖層的上表面和所述柵極的上表面構(gòu)成一平面。