[發明專利]一種顯示面板及其制造方法、TFT測試方法

有效

• 申請號: 201510310072.0
• 申請日: 2015-06-08
• 公開（公告）號: CN104992960B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 王祖強;李光;孫亮;陸小勇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77;H01L21/66
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 任嘉文

技術領域

本發明涉及液晶面板顯示領域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、TFT測試方法。

背景技術

隨著人們生活水平的逐漸提高，人們對顯示質量的要求也越來越高，現有技術中，液晶顯示器(LCD)的技術已經非常成熟，液晶顯示器應用也很廣泛，例如，手機、相機、電腦、電視等顯示屏都屬于液晶顯示器。隨著人們對產品的大量需求，客觀上推動了顯示技術的發展，新的顯示技術不斷出現，例如低溫多晶硅(LTPS)、有機二極管(OLED)顯示技術等。其中，有源矩陣有機發光二極管面板(AMOLED)是下一代顯示技術的重點開發對象，市場上各個手機品牌公司也已經向有源矩陣有機發光二極管面板的技術方向付出努力。然而，有源矩陣有機發光二極管面板不管在畫質、效能或者成本上，都比有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)顯示效果要好很多。

其中，低溫多晶硅比傳統的非晶硅(a-Si)相比，具有很多優勢。但是，傳統的低溫多晶硅的薄膜晶體管的背板制作技術中，對薄膜晶體管的短程均勻性測試較少，且不能對電致發光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的短程均勻性進行綜合評價。

綜上所述，現有技術中存在的缺點是：不能綜合測量電致發光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學特性。

發明內容

本發明實施例提供了一種顯示面板及其制造方法、TFT測試方法，用以綜合評價顯示面板中的電致發光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學特性，包括短程均勻性等。

本發明實施例提供了一種顯示面板包括顯示區域和所述顯示區域的外圍區域，所述外圍區域包括：電致發光層測試區、TFT測試區、以及引出線；其中，

所述電致發光層測試區包括多個具有電致發光層的薄膜晶體管，連接所述多個具有電致發光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接所述多個具有電致發光層的薄膜晶體管的柵極的開關引線和第二測試線；

所述TFT測試區包括多個薄膜晶體管；

所述引出線有多根，且每一根引出線用于連接所述電致發光層測試區中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層和所述TFT測試區中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層。

通過本發明實施例提供的顯示面板的外圍區域，用于作為待測試TFT特性的顯示裝置，根據電致發光層測試區中電致發光層的薄膜晶體管可以測試出顯示區域中的電致發光層的顯示效果；根據TFT測試區中的薄膜晶體管可以測試出顯示區域中的薄膜晶體管的TFT的電學特性，包括短程均勻性(short range uniformity)等；其中引出線用于將電致發光層測試區中電致發光層下面的薄膜晶體管引出在TFT測試區，便于測試TFT的電學特性；根據外圍區域中的電致發光層測試區得到的電致發光層的顯示效果和TFT測試區中得到的TFT的電學特性，從而實現了綜合評價了顯示面板中的電致發光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學特性。

較佳地，所述電致發光層測試區中的具有電致發光層的薄膜晶體管與所述TFT測試區中的薄膜晶體管個數相同，且一一對應。

具體地，TFT測試區中的薄膜晶體管是通過引出線連接電致發光層測試區中的電致發光層下面的薄膜晶體管，用于測試電致發光層測試區中的電致發光層下面的薄膜晶體管的電學特性，包括短程均勻性等。

較佳地，所述電致發光層測試區中的具有電致發光層的薄膜晶體管從下向上依次包括：基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發光層；

其中，所述具有電致發光層的薄膜晶體管的材料與所述顯示區域中的薄膜晶體管的材料相同。

較佳地，所述TFT測試區中的薄膜晶體管從下向上依次包括：緩沖層、柵極絕緣層、柵極掩模板、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層；

其中，所述TFT測試區中的薄膜晶體管的材料與所述顯示區域中的薄膜晶體管的材料相同。

本發明實施例提供一種利用本發明提供的顯示面板測試TFT特性的方法，該方法包括：

在所述開關引線施加第一電壓，使得所述電致發光層測試區中的薄膜晶體管和所述TFT測試區的薄膜晶體管導通，所述電致發光層發光；

在所述開關引線施加第二電壓，使得所述電致發光層測試區中的薄膜晶體管截止，所述TFT測試區的薄膜晶體管導通，測量所述TFT測試區的薄膜晶體管的電學特性；

其中，所述第一電壓為使得薄膜晶體管導通的電壓，所述第二電壓為使得薄膜晶體管截止的電壓。