[發明專利]一種顯示面板及其制造方法、TFT測試方法

有效

• 申請號: 201510310072.0
• 申請日: 2015-06-08
• 公開（公告）號: CN104992960B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 王祖強;李光;孫亮;陸小勇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L23/544;H01L21/77;H01L21/66
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 任嘉文

1.一種顯示面板，包括顯示區域和所述顯示區域的外圍區域，其特征在于，所述外圍區域包括：電致發光層測試區、TFT測試區、以及引出線；其中，

所述電致發光層測試區包括多個具有電致發光層的薄膜晶體管，連接所述多個具有電致發光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接所述多個具有電致發光層的薄膜晶體管的柵極的開關引線和第二測試線；

所述TFT測試區包括多個薄膜晶體管；

所述引出線有多根，且每一根引出線用于連接所述電致發光層測試區中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層和所述TFT測試區中的一個薄膜晶體管的源漏金屬層；

其中，所述電致發光層測試區中的具有電致發光層的薄膜晶體管從下向上依次包括：基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發光層。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電致發光層測試區中的具有電致發光層的薄膜晶體管與所述TFT測試區中的薄膜晶體管個數相同，且一一對應。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述具有電致發光層的薄膜晶體管的材料與所述顯示區域中的薄膜晶體管的材料相同。

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT測試區中的薄膜晶體管從下向上依次包括：緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層；

其中，所述TFT測試區中的薄膜晶體管的材料與所述顯示區域中的薄膜晶體管的材料相同。

5.一種利用如權利要求1提供的顯示面板測試TFT特性的方法，其特征在于，該方法包括：

在所述開關引線施加第一電壓，使得所述電致發光層測試區中的薄膜晶體管和所述TFT測試區的薄膜晶體管導通，所述電致發光層發光；

在所述開關引線施加第二電壓，使得所述電致發光層測試區中的薄膜晶體管截止，所述TFT測試區的薄膜晶體管導通，測量所述TFT測試區的薄膜晶體管的電學特性；

其中，所述第一電壓為使得薄膜晶體管導通的電壓，所述第二電壓為使得薄膜晶體管截止的電壓。

6.根據權利要求5所述的測試TFT特性的方法，其特征在于，測量所述TFT測試區的薄膜晶體管的電學特性，包括：

根據多個數據計算所述TFT測試區中薄膜晶體管的短程均勻性，其中，每一數據是通過如下方式獲得的數據：

將第一探針固定在所述電致發光層測試區的第一測試線，將第二探針固定在所述電致發光層測試區的第二測試線，將第三探針放在所述TFT測試區，并在所述TFT測試區內移動所述第三探針，每移動一次所述第三探針得到一個數據。

7.一種權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，包括：在制造所述顯示區域的同時在所述顯示區域外圍制造所述外圍區域，其中，

在形成具有電致發光層的薄膜晶體管的柵極時，形成開關引線和第二測試線；

在形成具有電致發光層的薄膜晶體管的源極時，形成第一測試線；

在形成具有電致發光層的薄膜晶體管的源漏金屬層和TFT測試區中的薄膜晶體管的源漏金屬層時，形成引出線。

8.根據權利要求7所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成電致發光層測試區中的具有電致發光層的薄膜晶體管，包括：

在外圍區域的電致發光層測試區的陣列基板上依次形成基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發光層。

9.根據權利要求7所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成TFT測試區中的薄膜晶體管，包括：

在外圍區域的TFT測試區的陣列基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層。