[發明專利]陣列基板的制備方法有效
| 申請號: | 201510309946.0 | 申請日: | 2015-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN104900588B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 張鵬舉;杜曉健;高博;葉晗 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板的制備方法。
背景技術
陣列基板是液晶顯示裝置的重要組件,其是通過多道構圖工序以在襯底基板上沉積各種膜層,從而得以制備出來的。現有技術中陣列基板的制備流程大致如下:
首先在襯底基板上形成柵極和柵線;然后再柵極和柵線上沉積一層柵絕緣層;接著利用構圖工藝在柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔,該第一連接孔以供后續工藝形成的掃描信號走線(用于向柵線輸出掃描驅動信號)與柵線連接,接收;再然后在柵絕緣層的上方進行像素電極的制備、有源層的制備、源/漏極的制備等等其他的工序。
其中,在利用構圖工藝在柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔的過程中,需要先在柵絕緣層上涂布一整層的光刻膠,然后利用相應的掩膜板對光刻膠進行曝光和顯影工藝,以使得位于非顯示區域內且對應柵線的位置的光刻膠區域,接著對柵絕緣層進行刻蝕以形成第一連接孔,最后對殘留在柵絕緣層上的光刻膠采用剝離液進行剝離處理。
然而,在對柵絕緣層上殘留的光刻膠進行剝離處理時發現,由于第一連接孔僅僅是位于非顯示區域,因此在進行顯影處理之后,殘留在柵絕緣層上的光刻膠(位于整個顯示區域和部分非顯示區域)的量比較大,從而使得進行剝離處理時使用的剝離液的量比較多,且很難將這些殘留的光刻膠去除,進而影響后續工藝的進行。
發明內容
本發明提供一種陣列基板的制備方法,可使得在柵絕緣層上形成第一連接孔的過程中,有效的減小剝離液的使用量,同時還能有效的使得殘留在柵絕緣層上的光刻膠經過剝離處理后會被完全去除。
為實現上述目的,本發明提供了一種陣列基板的制備方法,包括:
在襯底基板的上方形成柵極和柵線;
在所述柵極和所述柵線上方形成柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上形成像素電極;
在所述柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔,所述第一連接孔以供掃描信號走線與柵線連接。
可選地,所述在柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔的步驟包括:
在所述像素電極和所述柵絕緣層的上方涂布一層光刻膠;
利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光和顯影工藝,以使得在顯示區域內位于所述像素電極上方的光刻膠部分去除或完全去除,在所述非顯示區域內且對應于所述柵線的位置的上方的光刻膠完全去除;
對所述柵絕緣層進行刻蝕,以在所述柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應所述柵線的位置形成所述第一連接孔;
將殘留的光刻膠進行剝離。
可選地,所述光刻膠為正性光刻膠。
可選地,所述對所述柵絕緣層進行刻蝕的步驟中采用的是干法刻蝕。
可選地,所述陣列基板的制備方法還包括:
在所述柵絕緣層上形成有源層;
在所述有源層上形成源極和漏極,在所述柵絕緣層上形成數據線,所述漏極與所述像素電極連接;
在所述源極、所述漏極和所述數據線的上方形成鈍化層;
在所述鈍化層上位于非顯示區域內且對應所述柵線的位置形成第二連接孔,以及在所述鈍化層上位于非顯示區域內且對應所述數據線的位置形成第三連接孔,所述第二連接孔與所述第一連接孔連通,所述第三連接孔以供數據信號走線與數據線連接。
可選地,所述陣列基板的制備方法還包括:
在所述鈍化層的上方形成公共電極。
可選地,所述柵絕緣層的材料為二氧化硅和氮化硅中的至少一種。
可選地,所述像素電極的材料為氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
本發明具有以下有益效果:
本發明提供了一種陣列基板的制備方法,其中,在柵絕緣層上形成第一連接孔之前先完成了像素電極的制備,以利用像素電極對位于顯示區域的大部分柵絕緣層進行保護,因此在對柵絕緣層進行刻蝕形成第一連接孔過程中,可在像素電極上方保留很薄的一層光刻膠或者完全去除光刻膠,從而可使得在經過曝光和顯影工藝后殘留在柵極絕緣層上的量減少。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖;
圖2為在襯底基板的上方形成柵極和柵線的示意圖;
圖3為在柵極和柵線上方形成柵絕緣層的示意圖;
圖4為在柵絕緣層上形成像素電極的示意圖;
圖5為在步驟1042a中經過曝光和顯影工藝之后的示意圖;
圖6為在步驟1043a中形成第一連接孔的示意圖;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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