[發明專利]陣列基板的制備方法有效
| 申請號: | 201510309946.0 | 申請日: | 2015-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN104900588B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 張鵬舉;杜曉健;高博;葉晗 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板的上方形成柵極和柵線;
在所述柵極和所述柵線上方形成柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上形成像素電極;
在所述柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔,所述第一連接孔以供掃描信號走線與柵線連接;
所述在柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應柵線的位置形成第一連接孔的步驟包括:
在所述像素電極和所述柵絕緣層的上方涂布一層光刻膠;
利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光和顯影工藝,以使得在顯示區域內位于所述像素電極上方的光刻膠部分去除或完全去除,在所述非顯示區域內且對應于所述柵線的位置的上方的光刻膠完全去除;
對所述柵絕緣層進行刻蝕,以在所述柵絕緣層上位于非顯示區域內且對應所述柵線的位置形成所述第一連接孔;
將殘留的光刻膠進行剝離。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述光刻膠為正性光刻膠。
3.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述對所述柵絕緣層進行刻蝕的步驟中采用的是干法刻蝕。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,還包括:
在所述柵絕緣層上形成有源層;
在所述有源層上形成源極和漏極,在所述柵絕緣層上形成數據線,所述漏極與所述像素電極連接;
在所述源極、所述漏極和所述數據線的上方形成鈍化層;
在所述鈍化層上位于非顯示區域內且對應所述柵線的位置形成第二連接孔,以及在所述鈍化層上位于非顯示區域內且對應所述數據線的位置形成第三連接孔,所述第二連接孔與所述第一連接孔連通,所述第三連接孔以供數據信號走線與數據線連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,還包括:
在所述鈍化層的上方形成公共電極。
6.根據權利要求1-5中任一所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述柵絕緣層的材料為二氧化硅和氮化硅中的至少一種。
7.根據權利要求1-5中任一所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述像素電極的材料為氧化銦錫和氧化銦鋅中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





