[發明專利]基于灰密參數的懸式絕緣子積污難易程度的標定方法在審
| 申請號: | 201510306790.0 | 申請日: | 2015-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN104992047A | 公開(公告)日: | 2015-10-21 |
| 發明(設計)人: | 盧明;李瑤琴;李黎;任歡;張宇鵬;劉澤輝;呂中賓;李清 | 申請(專利權)人: | 國網河南省電力公司電力科學研究院;華中科技大學;國家電網公司 |
| 主分類號: | G06F19/00 | 分類號: | G06F19/00;G01N9/00 |
| 代理公司: | 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 劉建芳;李伊寧 |
| 地址: | 450052 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 參數 絕緣子 難易 程度 標定 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電力系統外絕緣領域,尤其涉及一種基于灰密參數的懸式絕緣子積污難易程度的標定方法。
背景技術
目前,電力系統輸電線路所用的懸式瓷和玻璃絕緣子已不局限于標準盤形懸式絕緣子。典型的懸式絕緣子的外形分為四種:標準外形,空氣動力學外形(或稱為開放外形),防霧外形,雙層傘與三層傘外形(外傘形)。
四種典型外形的瓷和玻璃懸式絕緣子的積污難易度已被定性地區分。比如,標準外形較易積污,可用于污穢很輕的地區,空氣動力學外形相比于標準外形不易積污,可用于嚴重污染的工業地區等。但是,如何定量標定不同型號瓷和玻璃絕緣子的積污難易度的問題目前還沒有得到解決。
灰密(non?soluble?deposit?density,NSDD)是用于度量絕緣子積污水平的參數之一,灰密表示絕緣子表面不可溶污穢物的積累量。目前,普遍采用人工擦洗絕緣子表面污穢的方法進行灰密的測算,但該方法存在較大的隨機誤差,直接導致同一地區同種絕緣子的灰密測算值變化范圍較大,而在不同地區測得的絕緣子灰密測算值數值則相差更大。
綜上所述,現有的懸式絕緣子積污難易程度標定方法已無法滿足實際工作的需要,亟需一種標定結果更為準確的且適用于不同型號懸式瓷和玻璃絕緣子積污難易度的標定方法。
發明內容
本發明的目的在于提供一種基于灰密參數的懸式絕緣子積污難易程度的標定方法,能夠避免外絕緣配置的盲目性,標定結果更為準確,同時能夠避免對該型號絕緣子進行重復積污試驗,節省企業的人力、財力和物力。
本發明采用下述技術方案:
基于灰密參數的懸式絕緣子積污難易程度的標定方法,其特征在于,包括以下步驟:
A:分別測量N個待標定絕緣子表面的灰密,然后將標準盤形懸式絕緣子作為參照絕緣子,測量與每個待標定絕緣子同地點同高度懸掛的標準盤形懸式絕緣子表面的灰密;然后進入步驟B;
B:以標準盤形懸式絕緣子的灰密作為基準,分別計算每一個待標定絕緣子的灰密與對應的標準盤形懸式絕緣子的灰密的比值,該比值作為歸一化灰密;然后將待標定絕緣子的N個歸一化灰密放于同一集合中,得到該待標定絕緣子的歸一化灰密集合;然后進入步驟C;
C:計算該待標定絕緣子的歸一化灰密集合中所有數據的平均值和標準差s;然后進入步驟D;
平均值的計算公式為:
其中,xi為歸一化灰密集合中的歸一化灰密數據,i=1,2,……,N;
標準差s的計算公式為:
其中,xi為歸一化灰密集合中的歸一化灰密數據,為待標定絕緣子的歸一化灰密集合中的所有數據的平均值,i=1,2,……,N;
D:計算歸一化灰密集合中的可疑值然后根據得到的可疑值計算用于檢驗可疑值是否為歸一化灰密集合中離群值的檢驗統計量g;然后進入步驟E;
可疑值的計算公式為:
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