[發(fā)明專利]擠壓電阻及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510306765.2
• 申請日: 2015-06-05
• 公開（公告）號: CN104993050B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚國亮;張邵華;吳建興
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 張振軍

1.一種擠壓電阻，其特征在于，包括：

第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；

第一摻雜類型的埋層，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

第二摻雜類型的外延層，位于所述半導(dǎo)體襯底上且覆蓋所述埋層，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

第二摻雜類型的高壓阱，位于所述外延層內(nèi)；

第二摻雜類型的深阱，位于所述高壓阱內(nèi)；

第一摻雜類型的第一阱，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)；

漏極歐姆接觸區(qū)，位于所述深阱內(nèi)；

擠壓電阻歐姆接觸區(qū)，位于所述外延層內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓電阻，其特征在于，還包括：

第一摻雜類型的降場層，與所述漏極歐姆接觸區(qū)并列地位于所述高壓阱內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓電阻，其特征在于，還包括：

場氧化層，至少覆蓋所述高壓阱的邊界和漏極歐姆接觸區(qū)之間的外延層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓電阻，其特征在于，還包括：

第一摻雜類型的隔離環(huán)，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)；

地電位接觸區(qū)，位于所述隔離環(huán)內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓電阻，其特征在于，還包括：

體接觸區(qū)，位于所述第一阱內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擠壓電阻，其特征在于，還包括：

第二摻雜類型的第二阱，與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)，所述擠壓電阻歐姆接觸區(qū)位于所述第二阱內(nèi)。

7.一種擠壓電阻的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一摻雜類型的半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一摻雜類型的埋層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二摻雜類型的外延層，所述外延層覆蓋所述埋層，所述第二摻雜類型與第一摻雜類型相反；

在所述外延層內(nèi)形成第二摻雜類型的高壓阱；

在所述高壓阱內(nèi)形成第二摻雜類型的深阱；

在所述外延層內(nèi)形成與所述高壓阱并列的第一阱，所述第一阱具有第一摻雜類型；

在所述外延層內(nèi)形成擠壓電阻歐姆接觸區(qū)，在所述深阱內(nèi)形成漏極歐姆接觸區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述深阱之后還包括：

在所述高壓阱內(nèi)形成第一摻雜類型的降場層，所述降場層與所述漏極歐姆接觸區(qū)并列地位于所述高壓阱內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括：

形成場氧化層，所述場氧化層至少覆蓋所述高壓阱的邊界和漏極歐姆接觸區(qū)之間的外延層。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述外延層內(nèi)形成與所述高壓阱并列的隔離環(huán)，所述隔離環(huán)具有第一摻雜類型；

在所述隔離環(huán)內(nèi)形成地電位接觸區(qū)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第一阱內(nèi)形成體接觸區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括：形成第二摻雜類型的第二阱，所述第二阱與所述高壓阱并列地位于所述外延層內(nèi)，所述擠壓電阻歐姆接觸區(qū)位于所述第二阱內(nèi)。