[發明專利]半導體器件的制造方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201510303567.0
• 申請日: 2015-06-04
• 公開（公告）號: CN105140249A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發明（設計）人: 木村雅俊
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述半導體器件具有固態圖像傳感器，所述固態圖像傳感器包括具有第1光電二極管及第2光電二極管的多個像素，

其中，所述半導體器件的制造方法包括如下工序：

工序(a)，即準備襯底的工序，所述襯底的上表面上具有相互鄰接的第1區域及第2區域；

工序(b)，即在所述襯底上形成光致抗蝕劑膜的工序；

工序(c)，即對所述第1區域的所述光致抗蝕劑膜進行曝光的工序；

工序(d)，即對所述第2區域的所述光致抗蝕劑膜進行曝光的工序；

工序(e)，即在所述工序(c)及所述工序(d)之后，通過對所述光致抗蝕劑膜進行顯影，以對所述光致抗蝕劑膜進行構圖的工序；

工序(f)，即使用在所述工序(e)中進行構圖后的所述光致抗蝕劑膜，在所述襯底上形成元件隔離結構的工序，所述元件隔離結構在所述襯底上劃分出所述像素內的有源區；以及

工序(g)，即在所述工序(f)之后，通過將雜質導入所述有源區內的所述襯底的上表面，在所述第1區域中形成所述第1光電二極管，且在所述第2區域中形成所述第2光電二極管的工序，

其中，所述第1光電二極管和所述第2光電二極管之間夾著所述第1區域和所述第2區域之間的邊界線而彼此隔離。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

從平面上看，所述有源區中形成于所述第1區域中的部分和形成于所述第2區域中的部分按一個方向彼此偏離而形成。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述第1區域和所述第2區域之間的邊界上，從平面上看，所述有源區外緣的布局中存在層差。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述邊界按沿著所述襯底的主面的第1方向延伸，

在與所述第1方向垂直相交的方向即沿著所述襯底的主面的第2方向上排列配置有多個所述像素，

從平面上看與所述邊界重合的所述像素內的所述第1光電二極管與所述第2光電二極管之間的間隔，比從平面上看不與所述邊界重合的所述像素內的所述第1光電二極管與所述第2光電二極管之間的間隔大。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

從平面上看與所述邊界重合的所述像素內的所述第1光電二極管在所述第2方向上的寬度，比從平面上看不與所述邊界重合的所述像素內的所述第1光電二極管在所述第2方向上的寬度小。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

從平面上看與所述邊界重合的所述像素內的所述第2光電二極管在所述第2方向上的寬度，比從平面上看不與所述邊界重合的所述像素內的所述第2光電二極管在所述第2方向上的寬度小。

7.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述半導體器件具有固態圖像傳感器，所述固態圖像傳感器包括具有第1光電二極管及第2光電二極管的多個像素，

其中，所述半導體器件的制造方法包括如下工序：

工序(a)，即準備襯底的工序，所述襯底的上表面上具有相互鄰接的第1區域及第2區域；

工序(b)，即在所述襯底上形成光致抗蝕劑膜的工序；

工序(c)，即對所述第1區域的所述光致抗蝕劑膜進行曝光的工序；

工序(d)，即對所述第2區域的所述光致抗蝕劑膜進行曝光的工序；

工序(e)，即在所述工序(c)及所述工序(d)之后，通過對所述光致抗蝕劑膜進行顯影，以對所述光致抗蝕劑膜進行構圖的工序；

工序(f)，即使用在所述工序(e)中進行構圖后的所述光致抗蝕劑膜，在所述襯底上形成元件隔離結構的工序，所述元件隔離結構在所述襯底上劃分出所述像素內的有源區；以及

工序(g)，即在所述工序(f)之后，通過將雜質導入所述有源區內的所述襯底的上表面，形成沿著所述襯底的主面排列的所述第1光電二極管及所述第2光電二極管的工序，

其中，從平面上看，所述第1區域和所述第2區域之間的邊界線與所述第1光電二極管重合，且按所述第1光電二極管的長邊方向延伸。