[發(fā)明專利]具有環(huán)狀磁體的磁性傳感器設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510301844.4
• 申請日: 2015-06-05
• 公開（公告）號: CN105277217B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: I.博爾曼;K.埃利安;A.施皮爾鮑爾;H.托伊斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01D5/12
• 分類號: G01D5/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;胡莉莉

1.一種磁性傳感器設(shè)備，包括：

環(huán)狀磁體；以及

傳感器芯片，其包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，其中第一和第二主面被布置在環(huán)狀磁體的開口中，

其中所述環(huán)狀磁體包括磁化，使得磁場的場線垂直于傳感器芯片的主面的中心部分，并且所述環(huán)狀磁體的對稱軸與傳感器芯片的對稱軸相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述環(huán)狀磁體包括圓形環(huán)以及多邊形環(huán)中的一個或多個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述環(huán)狀磁體包括封閉環(huán)或開放環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述環(huán)狀磁體包括開放環(huán)，其包括兩個或更多環(huán)段。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性傳感器設(shè)備，還包括：

載體，其中將環(huán)狀磁體和傳感器芯片中的一個或多個設(shè)置在載體上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述載體包括引線框架。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述載體是平的，或者包括具有兩個或更多不同平面的階梯式配置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁性傳感器設(shè)備，其中

所述載體包括階梯式配置，并且所述環(huán)狀磁體和所述傳感器芯片被設(shè)置在不同的平面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性傳感器設(shè)備，還包括：

密封材料，被布置成密封所述環(huán)狀磁體和所述傳感器芯片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性傳感器設(shè)備，還包括：

一個另外的環(huán)狀磁體。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁性傳感器設(shè)備，其中：

所述另外的環(huán)狀磁體的對稱軸與傳感器芯片的對稱軸相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁性傳感器設(shè)備，其中所述多邊形環(huán)是矩形環(huán)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磁性傳感器設(shè)備，其中所述矩形環(huán)是正方形環(huán)。

14.一種傳感器設(shè)備，包括：

磁偏置場發(fā)生器，包括通孔；以及

傳感器芯片，其包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，其中第一和第二主面被布置在磁偏置場發(fā)生器的通孔中，

其中所述磁偏置場發(fā)生器包括磁化，使得磁場的場線垂直于傳感器芯片的主面的中心部分，并且所述磁偏置場發(fā)生器的對稱軸與傳感器芯片的對稱軸相同。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器設(shè)備，其中

所述磁偏置場發(fā)生器包括環(huán)狀永磁體。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器設(shè)備，其中

所述傳感器芯片包括霍爾傳感器和磁阻傳感器中的一個。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器設(shè)備，還包括：

導(dǎo)電載體，其中所述磁偏置場發(fā)生器和所述傳感器芯片中的一個或多個被設(shè)置在載體上。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的傳感器設(shè)備，還包括：

重新分布層，其中所述磁偏置場發(fā)生器和所述傳感器芯片中的一個或多個被設(shè)置在該重新分布層上；以及

多個接觸元件，設(shè)置在所述重新分布層上。