[發明專利]在半導體裝置上形成替代柵極結構的方法

有效

• 申請號: 201510299742.3
• 申請日: 2015-06-03
• 公開（公告）號: CN105280500B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 劉兵武;臧輝
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種制造集成電路的方法，該方法包括：

在半導體襯底中形成鰭片；

圍繞該鰭片形成鰭片保護層；

在該鰭片保護層的部分上方形成犧牲柵極電極；

鄰近該犧牲柵極電極形成至少一個側間隙壁；

移除該犧牲柵極電極，以定義柵極開口，該柵極開口暴露該鰭片保護層的部分；

氧化該鰭片保護層的至少該暴露部分，從而形成該鰭片保護層的氧化部分；以及

移除該鰭片保護層的該氧化部分，從而暴露該柵極開口內的該鰭片的表面。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成該至少一個側間隙壁包括：

鄰近該犧牲柵極電極形成第一側間隙壁；以及

鄰近該第一側間隙壁形成第二側間隙壁。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，該第一側間隙壁由二氧化硅組成，且該第二側間隙壁由氮化硅組成。

4.如權利要求1所述的方法，還包括：

在該柵極開口中形成替代柵極結構；以及

在該替代柵極結構上方形成柵極覆蓋層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，該替代柵極結構由至少一個金屬層以及一個高k柵極絕緣層組成。

6.如權利要求1所述的方法，還包括：

執行氧化制程，以在該柵極開口內的該鰭片的該暴露表面上形成氧化物層；

移除該氧化物層；

在移除該氧化物層以后，在該柵極開口內的該鰭片上方形成替代柵極結構；以及

在該替代柵極結構上方形成柵極覆蓋層。

7.一種制造集成電路的方法，該方法包括：

在半導體襯底中形成鰭片；

圍繞該鰭片形成鰭片保護層；

在該鰭片保護層的部分上方形成犧牲柵極電極；

鄰近該犧牲柵極電極形成第一側間隙壁；

鄰近該第一側間隙壁形成第二側間隙壁；

移除該犧牲柵極電極，以定義由該第一側間隙壁定義的柵極開口，該柵極開口暴露該鰭片保護層的部分；

氧化該鰭片保護層的至少該暴露部分，從而形成該鰭片保護層的氧化部分；

移除該第一側間隙壁以及該鰭片保護層的該氧化部分，從而暴露該柵極開口內的該鰭片的表面；

執行氧化制程，以在該鰭片的該暴露表面上形成氧化物層；

移除該氧化物層；

在移除該氧化物層以后，在該柵極開口內的該鰭片上方形成替代柵極結構；以及

在該替代柵極結構上方形成柵極覆蓋層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該第一側間隙壁由二氧化硅組成，且該第二側間隙壁由氮化硅組成。

9.如權利要求7所述的方法，其特征在于，該替代柵極結構由至少一個金屬層以及一個高k柵極絕緣層組成。

10.一種制造集成電路的方法，該方法包括：

在半導體襯底中形成鰭片；

圍繞該鰭片形成鰭片保護層；

在該鰭片保護層的部分上方形成犧牲柵極電極；

鄰近該犧牲柵極電極形成第一側間隙壁；

鄰近該第一側間隙壁形成第二側間隙壁；

移除該犧牲柵極電極，以定義由該第一側間隙壁定義的柵極開口，該柵極開口暴露該鰭片保護層的部分；

氧化該鰭片保護層的至少該暴露部分，從而形成該鰭片保護層的氧化部分；

移除該第一側間隙壁以及該鰭片保護層的該氧化部分，從而暴露該柵極開口內的該鰭片的表面；

在該柵極開口內的該鰭片上方形成柵極結構；以及

在該柵極結構上方形成柵極覆蓋層。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，該柵極結構由至少一個金屬層以及高k柵極絕緣層組成。