[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201510292830.0
• 申請日: 2015-06-01
• 公開（公告）號: CN105206571B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 中村勝
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發明提供晶片的加工方法，使安裝在已通過所謂的預先劃片法分割為一個個半導體器件的半導體晶片的背面的用于芯片結合的粘合膜沿一個個分割的半導體器件斷裂，并能夠防止斷裂時細微破碎的粘合膜直接附著于半導體器件的表面。該方法對在晶片的表面格子狀地形成有多條分割預定線并在通過多條分割預定線而劃分的各區域中形成有器件的晶片進行加工，包含：分割槽形成工序，從晶片的表面側沿分割預定線形成深度相當于器件芯片的最終厚度的分割槽；背面磨削工序，對晶片的背面進行磨削使分割槽顯出于背面，將晶片分割為一個個器件芯片；在晶片的背面安裝粘合膜并對粘合膜粘貼劃片帶的工序；粘合膜斷裂工序，擴展劃片帶使粘合膜沿一個個器件芯片斷裂。

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，在該晶片的表面上通過形成為格子狀的間隔道而劃分的多個區域中形成有器件，將該晶片沿間隔道分割為一個個器件芯片，并且將用于芯片結合(die bonding)的粘合膜安裝于各器件芯片的背面。

背景技術

例如，在半導體器件制造工藝中，在大致圓板形狀的半導體晶片的表面上通過形成為格子狀的分割預定線而劃分的多個區域內形成有IC、LSI等器件，通過將該形成有器件的各區域沿間隔道進行分割來制造一個個半導體器件。作為對半導體晶片進行分割的分割裝置一般使用劃片(Dicing)裝置，該劃片裝置通過厚度為20～30μm左右的切削刀具將半導體晶片沿間隔道進行切削。這樣分割而成的半導體器件芯片被封裝并廣泛利用于移動電話或者個人計算機等電子設備。

作為將半導體晶片分割為一個個器件芯片的方法，實用化一種被稱為所謂的預先劃片法的分割技術。該預先劃片法是如下的技術：從半導體晶片的表面沿間隔道形成規定的深度(相當于半導體器件芯片的最終厚度的深度)的切削槽，此后，對在表面上形成有切削槽的半導體晶片的背面進行磨削，使切削槽在該背面顯出從而分割為一個個半導體器件芯片，通過該預先劃片法能夠將半導體器件芯片的厚度加工為50μm以下。(例如，參照專利文獻1。)

在一個個地分割而成的半導體器件芯片的背面上安裝有由聚酰亞胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂等形成的厚度20～40μm的被稱為粘片膜(DAF)的用于芯片結合的粘合膜，通過對經由該粘合膜而支承半導體器件芯片的芯片結合框架進行加熱焊接從而實現結合。

但是，由于無法在將用于芯片結合的粘合膜安裝于半導體晶片的背面的狀態下通過上述的所謂的預先劃片法與半導體器件一同進行分割，因此提出了如下技術：將用于芯片結合的粘合膜安裝于已通過所謂的預先劃片法分割為一個個半導體器件芯片的半導體晶片的背面，并且將粘合膜側粘貼于劃片帶，對該劃片帶進行擴展從而使粘合膜沿已被一個個地分割的半導體器件芯片斷裂(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特開2003-7648號公報

專利文獻2：日本特開2008-235650號公報

但是，如果將粘合膜安裝于已被分割為一個個器件芯片的晶片的背面并且粘貼劃片帶，對該劃片帶進行擴展從而使粘合膜沿一個個器件芯片斷裂，則存在如下問題：由于粘合膜形成為比晶片稍大，因此粘合膜的外周部會細微破碎而飛散而附著于器件的表面。

如果細微破碎了的粘合膜附著于顯出在半導體器件的表面的電極，則存在如下問題：會對引線接合造成妨礙，會引起導通不良而使器件的品質降低。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，其主要技術課題是提供一種晶片的加工方法，使安裝在通過所謂的預先劃片法(Dicing Before Grinding)而被分割為一個個半導體器件芯片的半導體晶片的背面的用于芯片結合的粘合膜沿已被一個個地分割的半導體器件芯片斷裂，并且能夠防止斷裂時細微破碎的粘合膜直接附著于半導體器件的表面。