[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201510292830.0
• 申請日: 2015-06-01
• 公開（公告）號: CN105206571B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 中村勝
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種晶片的加工方法，在該晶片的表面格子狀地形成有多條分割預定線并且在通過該多條分割預定線而劃分的各區域中形成有器件，該晶片的加工方法將所述晶片沿分割預定線分割為一個個器件芯片，并且將用于芯片結合的粘合膜安裝于各器件芯片的背面，該晶片的加工方法的特征在于，該晶片的加工方法包含：

分割槽形成工序，從晶片的表面側沿分割預定線形成深度相當于器件芯片的最終厚度的分割槽；

保護膜形成工序，在實施了該分割槽形成工序的晶片的表面覆蓋水溶性樹脂而形成保護膜，其中，所述水溶性樹脂埋設于分割槽中；

保護部件粘貼工序，將保護部件粘貼到在該保護膜形成工序中覆蓋于晶片的表面的保護膜的表面上；

背面磨削工序，對實施了該保護部件粘貼工序的晶片的背面進行磨削而使該分割槽顯出于背面，將晶片分割為一個個器件芯片；

晶片支承工序，將粘合膜安裝于實施了該背面磨削工序的晶片的背面并且在粘合膜側粘貼劃片帶，通過環狀的框架支承劃片帶的外周部，并將粘貼于晶片的表面的保護部件剝離；

粘合膜斷裂工序，擴展劃片帶而使粘合膜沿一個個器件芯片斷裂；以及

保護膜清洗工序，對覆蓋于晶片的表面的保護膜供給清洗水來沖洗保護膜，

在所述粘合膜斷裂工序中，在所述粘合膜斷裂時破碎的粘合膜的一部分附著到覆蓋于所述器件的表面的所述保護膜的表面，通過在所述保護膜清洗工序中對覆蓋于所述器件的表面的所述保護膜供給清洗水而進行沖洗，所附著的所述粘合膜的一部分被去除。