[發(fā)明專利]退火氧化設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510278862.5 | 申請日: | 2015-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN104916740B | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張松;劉超;劉成法;徐大超;王鵬磊;季海晨;高云峰 | 申請(專利權(quán))人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224 | 代理人: | 何沖 |
| 地址: | 201615 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 退火 氧化 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池制備領(lǐng)域,特別是涉及退火氧化設(shè)備。
背景技術(shù)
目前,高效、低成本為晶硅太陽電池發(fā)展的主要趨勢。其中,離子注入技術(shù)、表面SiO2/SiNx疊層膜鈍化技術(shù)廣泛地應(yīng)用在高效電池的制備工藝中。離子注入技術(shù)是一種把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方法。簡單地說,離子注入的過程,就是在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過加速的,要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在所選擇的(即被注入的)區(qū)域形成一個具有特殊性質(zhì)的表面層(注入層)。
在離子注入技術(shù)后續(xù)的過程中需要增加退火工藝以激活硅片內(nèi)的摻雜源,使其從間隙式摻雜形成有效的替位式摻雜,同時高溫通入氧氣,在硅片表面形成一層氧化硅薄膜,達到良好的表面鈍化效果。一般地,離子注入技術(shù)的退火工藝是在離子注入后進行特定的濕法化學處理,甩干后放入管式設(shè)備中進行退火氧化處理,管式設(shè)備需經(jīng)過上料、進管、升溫、氧化、降溫、退管、下料等流程,步驟較多,生產(chǎn)時間長。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種可以節(jié)約生產(chǎn)時間的退火氧化設(shè)備。
一種退火氧化設(shè)備,包括:
爐體,一端設(shè)有進料口,另一端設(shè)有出料口,所述爐體包括相互連通的加熱區(qū)和冷卻區(qū),所述冷卻區(qū)靠近所述出料口;
傳送裝置,位于所述爐體內(nèi)部,自所述進料口向所述出料口延伸;
進氣裝置,位于所述爐體內(nèi)部并與所述爐體連通;
加熱裝置,位于所述爐體外部,用于升高所述加熱區(qū)內(nèi)的溫度;
冷卻裝置,位于所述爐體外部,用于控制所述冷卻區(qū)內(nèi)的降溫速度;
保溫層,包覆所述爐體的外壁,并位于所述加熱裝置和所述冷卻裝置的外部;以及
控制裝置,分別與所述傳送裝置、所述加熱裝置、所述進氣裝置和所述冷卻裝置連接。
上述退火氧化設(shè)備,硅片經(jīng)進料口進入爐體,經(jīng)傳送裝置自進料口向出料口運動,硅片在爐體內(nèi)經(jīng)加熱區(qū)向冷卻區(qū)運動的過程中,進氣裝置不斷向爐體內(nèi)輸送氧氣,控制裝置通過控制加熱裝置、冷卻裝置、進氣裝置以及傳送裝置進而調(diào)節(jié)加熱區(qū)內(nèi)的升溫速度、爐體內(nèi)氣體流量、冷卻區(qū)的降溫速度和硅片的傳送速度,同時保溫層保持爐體內(nèi)溫度的穩(wěn)定,從而完成硅片的退火工藝。硅片在從爐體中傳送并輸出的同時完成了硅片的退火氧化,減少了操作步驟,節(jié)約了生產(chǎn)時間。
在其中一個實施例中,所述進料口處設(shè)有進料擋板,所述出料口處設(shè)有出料擋板,所述進料擋板和所述出料擋板均與所述爐體連接。
在其中一個實施例中,還設(shè)有降溫裝置,所述降溫裝置位于所述保溫層外部,所述降溫裝置與所述控制裝置連接。
在其中一個實施例中,所述加熱裝置的數(shù)量為多個,多個所述加熱裝置對稱地設(shè)置在所述爐體外部。
在其中一個實施例中,所述冷卻裝置的數(shù)量為多個,多個所述冷卻裝置對稱地設(shè)置在所述爐體外部。
在其中一個實施例中,所述加熱區(qū)的數(shù)量為多個,每個所述加熱區(qū)均設(shè)有所述加熱裝置。
在其中一個實施例中,所述加熱裝置為電阻絲或紅外燈管。
在其中一個實施例中,所述爐體的材質(zhì)為石英。
在其中一個實施例中,所述傳送裝置為導軌或傳送帶。
在其中一個實施例中,所述導軌或傳送帶的材質(zhì)為非金屬耐高溫材料。
附圖說明
圖1為一實施方式的退火氧化設(shè)備的截面圖;
圖2為圖1所示的退火氧化設(shè)備的側(cè)視圖;
附圖標記:
10、退火氧化設(shè)備;20、硅片;100、爐體;200、傳送裝置;300、進氣裝置;400、加熱裝置;500、冷卻裝置;600、保溫層;700、控制裝置;800、降溫裝置;110、加熱區(qū);120、冷卻區(qū);102、進料口;104、出料口;130、進料擋板;140、出料擋板。
具體實施方式
為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳的實施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地,提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容的理解更加透徹全面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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