[發明專利]退火氧化設備有效
| 申請號： | 201510278862.5 | 申請日： | 2015-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN104916740B | 公開（公告）日： | 2017-08-11 |
| 發明（設計）人： | 張松;劉超;劉成法;徐大超;王鵬磊;季海晨;高云峰 | 申請（專利權）人： | 上海大族新能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 何沖 |
| 地址： | 201615 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 退火 氧化 設備 | ||
1.一種退火氧化設備，其特征在于，包括：
爐體，一端設有進料口，另一端設有出料口，所述爐體包括相互連通的加熱區和冷卻區，所述加熱區的數量為多個，所述冷卻區靠近所述出料口；所述進料口處設有進料擋板，所述出料口處設有出料擋板，所述進料擋板和所述出料擋板均與所述爐體連接；
傳送裝置，位于所述爐體內部，自所述進料口向所述出料口延伸；
進氣裝置，位于所述爐體內部并與所述爐體連通；
加熱裝置，位于所述爐體外部，用于升高所述加熱區內的溫度，所述加熱裝置的數量為多個，多個所述加熱裝置對稱地設置在所述爐體外部；
冷卻裝置，位于所述爐體外部，用于控制所述冷卻區內的降溫速度，所述冷卻裝置的數量為多個，多個所述冷卻裝置對稱地設置在所述爐體外部；
保溫層，包覆所述爐體的外壁，并位于所述加熱裝置和所述冷卻裝置的外部；以及
控制裝置，分別與所述傳送裝置、所述加熱裝置、所述進氣裝置和所述冷卻裝置連接。
2.根據權利要求1所述的退火氧化設備，其特征在于，還設有降溫裝置，所述降溫裝置位于所述保溫層外部，所述降溫裝置與所述控制裝置連接。
3.根據權利要求1所述的退火氧化設備，其特征在于，每個所述加熱區均設有所述加熱裝置。
4.根據權利要求1所述的退火氧化設備，其特征在于，所述加熱裝置為電阻絲或紅外燈管。
5.根據權利要求1所述的退火氧化設備，其特征在于，所述爐體的材質為石英。
6.根據權利要求1-5任一項所述的退火氧化設備，其特征在于，所述傳送裝置為導軌或傳送帶。
7.根據權利要求6所述的退火氧化設備，其特征在于，所述導軌或傳送帶的材質為非金屬耐高溫材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
