[發明專利]3DIC互連器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201510278520.3
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN105280611B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 蔡紓婷;陳思瑩;林政賢;許慈軒;洪豐基;楊敦年
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一工件，包括：

第一襯底；和

第一金屬化層，形成在所述第一襯底的正面上，所述第一金屬化層具有第一互連件；

第二工件，與所述第一工件接合，所述第二工件包括：

第二襯底；和

第二金屬化層，形成在所述第二襯底的正面上，所述第二金屬化層具有第二互連件，其中，所述第二襯底的正面面對所述第一襯底的正面；

第一再分布層(RDL)，形成在所述第二襯底的背面上，所述第二襯底的背面與所述第二襯底的正面相對；

第一導電塞，從所述第二襯底的背面延伸至所述第一互連件，所述第一導電塞延伸穿過所述第二互連件，其中，所述第一導電塞具有從所述第二襯底的背面延伸至所述第二襯底的正面的第一寬度，從所述第二襯底的正面延伸穿過所述第二互連件的表面至所述第二互連件內的第二寬度和從所述第二互連件內延伸至所述第一互連件的第三寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度，并且所述第二寬度大于所述第三寬度，使得所述第一導電塞在所述第二互連件的上部具有第二寬度并且在所述二互連件的下部具有第三寬度；

第三工件，與所述第二工件接合，所述第三工件包括：

第三襯底；和

第三金屬化層，形成在所述第三襯底的正面上，所述第三金屬化層具有第三互連件，其中，所述第三襯底的正面面對所述第二襯底的背面；以及

第二導電塞，從所述第三襯底的背面延伸至所述第一再分布層，所述第二導電塞延伸穿過所述第三互連件，所述第三襯底的背面與所述第三襯底的正面相對。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：第二RDL，形成在所述第三襯底的背面上，所述第二RDL與所述第二導電塞電接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電塞與所述第一再分布層、所述第一互連件和所述第二互連件電接觸。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電塞與所述第一再分布層和所述第三互連件電接觸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：第三導電塞，所述第三導電塞從所述第二襯底的所述背面延伸至所述第二金屬化層的第四互連件，所述第三導電塞與所述第一再分布層和所述第四互連件電接觸。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第三導電塞具有從所述第二襯底的背面延伸至所述第二襯底的正面的第一寬度，并且所述第三導電塞具有從所述第二襯底的正面延伸至所述第二金屬化層中的所述第四互連件的第二寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。